[發明專利]熱載流子效應退化性能的評估方法

在審

• 申請號: 202110004222.0
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN114720831A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 胡健;呂康;熊陽
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發明實施例提供一種熱載流子效應退化性能的評估方法，包括：提供字線和字線驅動器；對所述字線執行電性測試；對電性測試合格的樣品執行特性測試，獲得第一性能參數；向所述字線驅動器的輸入端輸入交流信號，以通過所述字線驅動器控制所述字線反復開關；對所述字線執行所述電性測試；對電性測試合格的樣品執行所述特性測試，獲得第二性能參數，并根據所述第一性能參數和所述第二性能參數評估所述字線驅動器的熱載流子效應退化性能。本發明實施例有利于準確獲取字線驅動器的熱載流子效應退化性能。

技術領域

本發明實施例涉及半導體領域，特別涉及一種熱載流子效應退化性能的評估方法。

背景技術

隨著電子設備的普及應用，人們對電子設備的性能也提出了更高的要求，例如，電子設備中半導體器件性能的穩定性。為保證半導體器件能夠長期可靠的工作，通常在出廠前對半導體器件對產品性能進行可靠性測試，以保證半導體器件在預設時間內的性能變化處于預設閾值內。熱載流子注入(HCI，HotCarrier Injection)效應是影響半導體器件性能的重要因素，直接會引起半導體器件的性能退化，半導體器件的熱載流子測試是依據聯合電子設備工程委員會(JEDEC，Joint Electron Device Engineering Council)的標準執行，通過向半導體器件輸入電壓信號測量該器件的電學性能，計算器件的電學性能退化量。

現有技術中，通過施加恒定的過壓信號，獲取半導體器件的性能參數退化量，從而根據性能參數退化量和過壓時間來確定半導體器件在過壓條件下的壽命，進而通過數學線性模型將過壓條件下的壽命推算到正常工作條件下的壽命。但是現有技術中熱載流子的測試是在直流信號下進行的，而實際半導體器件是在交流電壓信號下工作的，因此基于直流信號與交流信號的等效轉換計算半導體器件壽命的結果并不準確，同時無法體現出半導體器件的實際性能參數對性能的影響。目前，缺少一種準確地針對半導體器件熱載流子效應退化性能的測試方法。

發明內容

本發明實施例提供一種熱載流子效應退化性能的評估方法，有利于準確獲取字線驅動器的熱載流子效應退化性能。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種熱載流子效應退化性能的評估方法，包括：提供字線和字線驅動器；對所述字線執行電性測試；對電性測試合格的樣品執行特性測試，獲得第一性能參數；向所述字線驅動器的輸入端輸入交流信號，以通過所述字線驅動器控制所述字線反復開關；對所述字線執行所述電性測試；對電性測試合格的樣品執行所述特性測試，獲得第二性能參數，并根據所述第一性能參數和所述第二性能參數評估所述字線驅動器的熱載流子效應退化性能。

另外，所述字線的性能參數包括內存時序中的尋址延遲時間和預充電時間；所述第一性能參數包括第一尋址延遲時間和第一預充電時間，所述第二性能參數包括第二尋址延遲時間和第二預充電時間。

另外，所述交流信號的輸入時長大于200h。

另外，所述尋址延遲時間和所述預充電時間按照JEDEC的標準執行。

另外，所述字線和所述字線驅動器位于陣列區。

另外，所述字線包括位于同一物理存儲體內不同位置的多條字線。

另外，所述字線位于物理存儲體的邊緣。

另外，在同一物理存儲體內的字線的排列方向上，所述字線包括第二根字線和/或倒數第二根字線。

另外，向所述字線驅動器的輸入端輸入交流信號，以通過所述字線驅動器控制所述字線反復開關的步驟，包括：每次測試通過所述字線驅動器控制一條字線反復開關，不同次測試控制不同條字線反復開關。

另外，所述字線驅動器為用于進行實際讀寫操作的功能電路。