[發明專利]一種摻鎂鈮酸鋰疇結構的制備方法有效
| 申請號: | 202110003399.9 | 申請日: | 2021-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN112835262B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發明(設計)人: | 馬超群;陳偉;劉袁;張旺;崔國新;陸延青 | 申請(專利權)人: | 南京大學 |
| 主分類號: | G03F7/16 | 分類號: | G03F7/16;G03F7/40;C30B33/04 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 210093 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 摻鎂鈮酸鋰疇 結構 制備 方法 | ||
1.一種摻鎂鈮酸鋰疇結構的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
(1)摻鎂鈮酸鋰晶體依次進行第一次涂覆光刻膠、一次烘干、光刻、顯影和鍍膜,得到初處理摻鎂鈮酸鋰晶體;所述第一次涂覆光刻膠后摻鎂鈮酸鋰晶體上光刻膠的厚度為0.8~1.2μm;
(2)初處理摻鎂鈮酸鋰晶體依次進行剝離光刻膠、第二次涂覆光刻膠和二次烘干,得到二次處理的摻鎂鈮酸鋰晶體;所述第二次涂覆光刻膠后摻鎂鈮酸鋰晶體上光刻膠的厚度為0.8~1.2μm;
(3)二次處理的摻鎂鈮酸鋰晶體依次進行加壓極化、剝離光刻膠和去除表面金屬,得到摻鎂鈮酸鋰疇結構;
所述加壓極化包括探針加壓法;
所述探針加壓法包括以下步驟:
(1’)在襯底和摻鎂鈮酸鋰晶體的-C面之間添加導電鹽溶液,形成歐姆接觸;
(2’)負極探針接觸襯底,正極探針接觸摻鎂鈮酸鋰晶體的+C面;
(3’)在正負極探針上施加脈沖偏置電壓。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述摻鎂鈮酸鋰晶體的厚度為350~400μm。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述第一次涂覆光刻膠前包括確定摻鎂鈮酸鋰晶體的+C面。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述確定摻鎂鈮酸鋰晶體的+C面與第一次涂覆光刻膠之間包括清洗摻鎂鈮酸鋰晶體。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述清洗中摻鎂鈮酸鋰晶體的+C面朝上。
6.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述清洗依次包括等離子清洗和超聲清洗。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述等離子清洗的時間為7~12min。
8.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述超聲清洗的時間為12~18min。
9.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述超聲清洗的次數為至少3次。
10.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述清洗與第一次涂覆光刻膠之間包括烘干。
11.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述烘干的溫度為75~85℃。
12.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述烘干的時間為5~15min。
13.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述第一次涂覆光刻膠在摻鎂鈮酸鋰晶體的+C面進行。
14.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述第一次涂覆光刻膠包括一次涂覆和二次涂覆。
15.根據權利要求14所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述一次涂覆的轉速為600~1000r/s。
16.根據權利要求14所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述一次涂覆的時間為8~12s。
17.根據權利要求14所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述二次涂覆的轉速為3500~4500r/s。
18.根據權利要求14所述的制備方法,其特征在于,步驟(1)所述二次涂覆的時間為30~50s。
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