[發明專利]一種靶材組件焊接前的處理方法

有效

• 申請號: 202110002835.0
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN112846560B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;葉裕輝;俞冬波
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B23K31/02
• 分類號: B23K31/02
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

本發明提供一種靶材組件焊接前的處理方法，所述處理方法包括：靶材和背板分別依次進行一次浸潤、二次浸潤和三次浸潤；所述二次浸潤后靶材和背板冷卻至室溫；通過分步浸潤的方式，C?SiC靶材與銅背板焊接后，大幅度提高了靶材組件的焊接結合率；本發明提供的靶材組件焊接前的處理方法，操作簡單，且節約成本。

技術領域

本發明涉及焊接技術領域，尤其涉及一種靶材組件焊接前的處理方法。

背景技術

焊料結合指的是利用熔點比母材(被焊接材料)熔點低的填充金屬(稱為釬料或焊料)在低于母材熔點、高于焊料熔點的溫度下，利用液態焊料在母材表面潤濕、鋪展和在母材間隙中填縫，與母材相互溶解與擴散，然后冷卻，使焊料凝固而實現零件間的連接的焊接方法；焊料結合時無需對焊件施加壓力，避免了因重力作用造成的焊件變形，是一種簡易、快捷的焊接方式。

目前焊料結合的研究重點一般是根據母材的性質選用合適的焊料并且盡可能的減少焊料的使用和提高焊料的回收率以降低生產成本，同時選用合適的焊接方法，提升焊接效果。

CN111195768A公開了一種C-SiC濺射靶材的焊接方法，所述方法包括對C-SiC靶材和背板進行遮蔽處理，放置焊料并升溫，同時進行浸潤處理；在后背板上設置熔池同時放置焊料并等間距設置銅絲；將C-SiC靶材和背板進行扣合組裝并焊接，但該焊接方法過程涉及銅絲，操作較復雜。

CN110666281A公開了一種鋁靶材和含銅背板的釬焊焊接方法，所述釬焊焊接方法包括采用不同的焊料分別對鋁靶材和含銅背板進行浸潤處理，之后將二者結合，完成焊接過程。

CN106695109B公開了一種鎳鉻靶材組件的制造方法，包括：將焊料放置于背板的和鎳鉻靶材的焊接面上；加熱使焊料熔化；對背板和鎳鉻靶材的焊接面進行第一超聲波處理，浸潤所述焊接面；在背板的焊接面上再次放入焊料，對背板和鎳鉻靶材的焊接面進行第二超聲波處理；將背板與鎳鉻靶材的焊接面相貼合進行焊接；焊接后進行冷卻，形成靶材組件。

C-SiC密度低，從高溫到低溫極速冷卻下容易破碎。C-SiC靶材焊接背板材料主要為無氧銅材質，具有較高的硬度和強度。C-SiC靶材在焊接時，由于浸潤時材料容易脫落而極難浸潤，經常出現的大面積焊接缺陷，焊接失敗的情況。

因此，有必要開發出一種改善C-SiC靶材焊接效果的處理方法。

發明內容

鑒于現有技術中存在的問題，本發明提供一種靶材焊接前的處理方法，所述處理方法通過分步浸潤，并在二次浸潤后將靶材和背板冷卻至室溫，C-SiC靶材與銅背板焊接后，可大幅度提高靶材組件的焊接結合率，操作簡便，節約成本。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

本發明提供一種靶材組件焊接前的處理方法，所述處理方法包括：靶材和背板分別依次進行一次浸潤、二次浸潤和三次浸潤；在所述二次浸潤與三次浸潤之間，將靶材和背板分別冷卻至室溫。

本發明中將靶材和背板分別依次進行一次浸潤、二次浸潤和三次浸潤，使得焊料能夠在靶材和背板表面進行潤濕、鋪展和填充縫隙，在二次浸潤后將靶材和背板隨加熱裝置自然冷卻至室溫，靶材和背板在浸潤后冷卻能夠充分釋放SiC間隙內的氣體，使得焊料充分填充縫隙，有利于減少靶材和背板在焊接時的破碎現象。

優選地，所述靶材的材質包括C-SiC。

C-SiC靶材組件的焊接在浸潤時容易掉粉極難浸潤，經常出現大面積的焊接缺陷，焊接失敗的情況，本發明的三次浸潤步驟，能夠使焊料在靶材和背板表面進行潤濕、鋪展和填充縫隙，可大幅度提高靶材組件的焊接結合率。

優選地，所述背板的材質包括銅合金。

優選地，所述一次浸潤的溫度為200～240℃，例如可以是200℃、204℃、208℃、212℃、216℃、220℃、224℃、228℃、232℃、236℃或240℃等。