[發(fā)明專利]具有在基極區(qū)與發(fā)射極區(qū)之間的偏置結(jié)構(gòu)的雙極結(jié)晶體管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110002780.3
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN113161413A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·薩多夫尼科夫;N·拉沃洛格達(dá);G·馬圖爾
• 申請（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/735;H01L21/28;H01L21/331
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 徐東升

1.一種雙極結(jié)晶體管BJT，其包括：

襯底；

形成在所述襯底中的發(fā)射極區(qū)；

形成在所述襯底中的基極區(qū)；

形成在所述襯底中的集電極區(qū)；

在所述基極區(qū)與所述發(fā)射極區(qū)之間形成在所述襯底上的柵極型結(jié)構(gòu)；以及

耦合到所述柵極型結(jié)構(gòu)的觸點，所述觸點適于耦合到DC電壓的源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BJT，其進(jìn)一步包括耦合到所述觸點和DC電壓源端子的連接件，所述連接件適于通過所述觸點向所述柵極型結(jié)構(gòu)提供所述DC電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BJT，其中所述DC電壓源端子適于提供負(fù)DC電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BJT，其中所述DC電壓源端子適于提供正DC電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BJT，其中所述BJT是NPN BJT或PNP BJT。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BJT，其進(jìn)一步包括在所述基極區(qū)與所述發(fā)射極區(qū)之間處于所述襯底的表面上方的柵極氧化物層，所述柵極型結(jié)構(gòu)形成在所述柵極氧化物層上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的BJT，其進(jìn)一步包括在所述柵極型結(jié)構(gòu)上方形成的金屬層，所述觸點耦合到所述金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BJT，其中所述柵極型結(jié)構(gòu)包括多晶硅材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的BJT，其中所述連接件將所述發(fā)射極區(qū)與所述基極區(qū)電隔離開。

10.一種形成晶體管的方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體襯底中形成具有第一類型的多數(shù)載流子的集電極區(qū)；

形成具有第二類型的多數(shù)載流子的基極區(qū)；

在所述基極區(qū)上方形成柵極型結(jié)構(gòu)；

蝕刻所述柵極型結(jié)構(gòu)以暴露出所述基極區(qū)的發(fā)射極區(qū)域并暴露出所述基極區(qū)的基極接觸區(qū)域，所述基極接觸區(qū)域圍繞所述柵極型結(jié)構(gòu)；

在所述發(fā)射極區(qū)域中注入第一摻雜劑以形成具有所述第一類型的多數(shù)載流子的發(fā)射極區(qū)；

在所述基極區(qū)的所述基極接觸區(qū)域中注入第二摻雜劑以形成具有所述第二類型的多數(shù)載流子的基極接觸區(qū)；

在所述基極接觸區(qū)、所述發(fā)射極接觸區(qū)、集電極接觸區(qū)和所述柵極型結(jié)構(gòu)上面或上方形成觸點；

形成柵極連接件，所述柵極連接件耦合到所述柵極型結(jié)構(gòu)的所述觸點并且適于耦合到DC電壓的源。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述柵極型結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：

在所述半導(dǎo)體襯底上方形成柵極氧化物；

在所述柵極氧化物上形成柵極材料，所述柵極材料和所述柵極氧化物被蝕刻以形成圍繞所述發(fā)射極區(qū)域的所述柵極型結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述柵極材料包括多晶硅。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述柵極連接件與所述發(fā)射極區(qū)和所述基極區(qū)隔離開。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中DC電壓源端子通過所述柵極連接件耦合到所述柵極型結(jié)構(gòu)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述DC電壓源端子適于提供負(fù)DC電壓或正DC電壓。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一類型是N型并且所述第二類型是P型。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一類型是P型并且所述第二類型是N型。