[發明專利]離子注入設備及離子注入方法有效
| 申請號： | 202110002080.4 | 申請日： | 2021-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN112820613B | 公開（公告）日： | 2021-12-03 |
| 發明（設計）人： | 於成星;劉小輝;張和;周靜蘭;劉修忠;沈保家;李軍輝 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01J37/147 | 分類號： | H01J37/147;H01J37/317;H01L21/67;H01L21/265;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡純;王月玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 設備 方法 | ||
1.一種離子注入設備，其中，包括：
承載臺，用于承載半導體結構；
離子源單元，用于產生等離子束，并使所述等離子束向所述半導體結構運動；
導向電極，位于所述離子源單元和所述承載臺之間，所述導向電極包括多個通孔，至少一個所述通孔的孔道傾斜，所述通孔的傾斜度與所述半導體結構中溝槽的傾斜角度匹配，用于使所述等離子束經過所述通孔后的注入角度與所述半導體結構中溝槽的傾斜角度匹配。
2.根據權利要求1所述的離子注入設備，其中，所述導向電極上施加電場以調整所述等離子束的注入角度。
3.根據權利要求1所述的離子注入設備，其中，所述通孔與所述溝槽的位置相對應。
4.根據權利要求1所述的離子注入設備，其中，所述等離子束通過位于同一個圓形陣列的通孔以相同角度注入所述半導體結構。
5.根據權利要求1所述的離子注入設備，其中，所述等離子束通過位于不同圓形陣列中的通孔以不同角度注入所述半導體結構。
6.根據權利要求3所述的離子注入設備，其中，所述多個通孔呈同心圓陣列排布，所述通孔的橫截面為圓形、圓環形或者弧形。
7.根據權利要求2所述的離子注入設備，其中，還包括電壓源，分別向所述導向電極提供第一電壓以及向所述承載臺提供第二電壓，所述導向電極和所述承載臺之間形成由所述導向電極指向所述承載臺的電場。
8.根據權利要求6所述的離子注入設備，其中，所述導向電極上施加的第一電壓大于所述承載臺上施加的第二電壓。
9.根據權利要求1所述的離子注入設備，其中，所述承載臺為平板電極或者電子夾具。
10.一種離子注入方法，其中，包括：
提供半導體結構，所述半導體結構具有溝槽；
采用如權利要求1-9任一項所述的離子注入設備將等離子束按預設角度注入溝槽底部，其中，所述預設角度與所述溝槽的傾斜角度一致。
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