[發明專利]有機電致發光裝置和電子設備

有效

• 申請號: 202110001853.7
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN113078272B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 深川剛史
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H10K50/844
• 分類號: H10K50/844;H10K71/00;H10K59/12
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

有機電致發光裝置和電子設備，質量可靠性優異。有機電致發光裝置具有：有機電致發光元件；以及保護層，其保護所述有機電致發光元件，所述保護層具有第1絕緣膜、第2絕緣膜、第3絕緣膜、第4絕緣膜和第5絕緣膜，所述第1絕緣膜、所述第2絕緣膜、所述第3絕緣膜、所述第4絕緣膜和所述第5絕緣膜各自包含無機材料，所述第1絕緣膜的密度比所述第3絕緣膜和所述第5絕緣膜各自的密度低。

技術領域

本發明涉及有機電致發光裝置和電子設備。

背景技術

已知具備有機EL元件的有機EL(電致發光)裝置。有機EL裝置例如被用作顯示圖像的有機EL顯示器。

專利文獻1所記載的有機EL裝置具備有機EL元件和覆蓋有機EL元件的保護膜。該保護膜具有防止水分侵入有機EL元件的功能。該保護膜是由3個膜構成的層疊膜。具體而言，層疊膜例如包含由氮化硅膜構成的第1絕緣膜、由氧化鋁膜構成的第2絕緣膜、以及由氮化硅膜構成的第3絕緣膜。第1絕緣膜和第3絕緣膜分別通過CVD法(化學氣相生長法)形成。第2絕緣膜通過ALD法(原子層沉積法)形成。此外，第2絕緣膜為了填埋形成于第1絕緣膜的針孔而形成。

專利文獻1：日本特開2018-28996號公報

但是，由于專利文獻1所記載的第3絕緣膜與第1絕緣膜為相同結構，因此例如，在有機EL元件的表面存在階梯差時，由于該階梯差的影響，不僅在第1絕緣膜中，在第3絕緣膜中也容易產生缺陷。因此，保護膜的密封性能受損，其結果，有機EL元件有可能劣化。因此，存在有機EL裝置的質量可靠性下降的問題。

發明內容

本發明的有機電致發光裝置的一個方式具有：有機電致發光元件；以及保護層，其保護所述有機電致發光元件，所述保護層具有第1絕緣膜、第2絕緣膜、第3絕緣膜、第4絕緣膜和第5絕緣膜，在遠離所述有機電致發光元件的方向上，按照所述第1絕緣膜、所述第2絕緣膜、所述第3絕緣膜、所述第4絕緣膜和所述第5絕緣膜的順序進行配置，所述第1絕緣膜、所述第2絕緣膜、所述第3絕緣膜、所述第4絕緣膜和所述第5絕緣膜各自包含無機材料，所述第1絕緣膜的密度比所述第3絕緣膜和所述第5絕緣膜各自的密度低。

本發明的電子設備的一個方式具有：所述有機電致發光裝置；以及控制部，其對所述有機電致發光裝置的動作進行控制。

本發明的有機電致發光裝置的制造方法的一個方式包含以下工序：在基板上形成有機電致發光元件；通過使用了等離子體的化學氣相沉積法，在所述有機電致發光元件上形成第1絕緣膜；通過使用了等離子體的原子層沉積法，在所述第1絕緣膜上形成第2絕緣膜；通過使用了等離子體的化學氣相沉積法，在所述第2絕緣膜上形成第3絕緣膜；通過使用了等離子體的原子層沉積法，在所述第3絕緣膜上形成第4絕緣膜；以及通過使用了等離子體的化學氣相沉積法，在所述第4絕緣膜上形成第5絕緣膜，所述第1絕緣膜的密度比所述第3絕緣膜和所述第5絕緣膜各自的密度低。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式中的有機EL裝置的平面圖。

圖2是圖1所示的子像素的等效電路圖。

圖3是表示圖1所示的A-A線剖面的圖。

圖4是用于說明圖1所示的保護層的功能的剖視圖。

圖5是表示變更了圖1所示的保護層所具有的第1絕緣膜的厚度的例子的圖。

圖6是表示透過了圖1所示的保護層的光的光譜的圖。

圖7是表示透過了圖1所示的保護層的光的光譜的圖。

圖8是第1實施方式中的有機EL裝置的制造方法的流程。

圖9是用于說明保護層形成工序的圖。

圖10是用于說明保護層形成工序的圖。

圖11是用于說明保護層形成工序的圖。