[發明專利]耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線及電子設備

有效

• 申請號: 202110001799.6
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN112787092B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 郭曉娟;韓天波;鄭茂盛
• 申請（專利權）人: 信維創科通信技術（北京）有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/10;H01Q5/307;H01Q5/50
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 林棟

1.一種耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線，其特征在于，包括基板、單極天線和天線輻射體；所述基板包括相對的第一面和第二面，所述第一面上設有接地面和饋電面，所述單極天線設置于所述饋電面上；所述天線輻射體通過印刷工藝印制于所述第二面上，且與所述單極天線耦合；所述單極天線呈L型；所述天線輻射體上設有第一縫隙和第二縫隙，所述第一縫隙包括依次連接的兩個分支，所述第一縫隙呈L型；所述第二縫隙包括依次連接的五個分支，其中前三個分支構成η型，后兩個分支構成倒L型；所述第二縫隙環繞所述第一縫隙設置。

2.根據權利要求1所述的耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線，其特征在于，還包括饋電點，所述饋電點與所述單極天線連接。

3.根據權利要求2所述的耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線，其特征在于，所述單極天線的一端與所述饋電點連接，另一端懸空。

4.根據權利要求1所述的耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線，其特征在于，所述單極天線在所述基板上的投影與所述天線輻射體中的第一縫隙和第二縫隙在基板上的投影相交。

5.根據權利要求1所述的耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線，其特征在于，還包括保護層，所述保護層設置于所述基板上，且覆蓋所述單極天線和天線輻射體。

6.根據權利要求5所述的耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線，其特征在于，所述保護層為綠油。

7.根據權利要求1所述的耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線，其特征在于，所述基板為FR4基板。

8.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1-7任一項所述的耦合饋電的平面超寬帶環形LTE天線。