[其他]空腔SOI基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202090000464.1
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN217535470U
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 澤村誠;日野龍之介;岸本諭卓
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: B81B1/00
• 分類號: B81B1/00;H01L21/02;H01L27/12
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李國華

本實用新型提供一種空腔SOI基板，能夠抑制平坦性的惡化。空腔SOI基板通過硅氧化膜將具有空腔的第一硅基板與第二硅基板接合，其中，在第二硅基板中，與第一硅基板的所述空腔對置的部分比與第一硅基板接合的部分厚。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種用于MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機(jī)電系統(tǒng))器件等的、通過硅氧化膜將具有空腔的第一硅基板與第二硅基板接合的空腔SOI(C-SOI基板)。

背景技術(shù)

公開了如下結(jié)構(gòu)：形成可動部等的器件的絕緣體上硅(Silicon on Insulator，以下稱為“SOI”)層與支承SOI層的支承基板用晶片將絕緣層夾設(shè)在它們之間而粘在一起，絕緣層包括空洞(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

另外，公開了如下結(jié)構(gòu)：在構(gòu)成空腔SOI的兩張硅基板中的一方設(shè)置有空腔，在接合部設(shè)置有硅氧化膜(SiO₂)(例如參照專利文獻(xiàn)2)。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-14461號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開2015-123547號公報

實用新型內(nèi)容

實用新型要解決的課題

圖8示出以往的空腔SOI基板的概要剖視圖，在該空腔SOI基板中，第二硅基板的厚度在空腔部與接合部實質(zhì)上相同。在以往的空腔SOI基板 50中，如圖8所示，對于與具有空腔55的第一硅基板51接合的第二硅基板58，使用了厚度均勻的基板。但是，當(dāng)對第二硅基板58使用厚度均勻的基板時，由于真空狀態(tài)的空腔55內(nèi)與大氣壓下的空腔外的氣壓差，第二硅基板58凹陷而位移。其結(jié)果是，存在空腔SOI(C-SOI基板)基板 50的平坦性惡化而導(dǎo)致MEMS器件的成品率惡化這樣的問題。

另外，還存在如下問題：在將第一硅基板與第二硅基板接合時，在第一硅基板的空腔的端部容易產(chǎn)生裂紋。

于是，本實用新型的目的在于，提供一種能夠抑制與第一硅基板的空腔對置的部分的平坦性的惡化的空腔SOI基板。

用于解決課題的手段

本實用新型的空腔SOI基板通過硅氧化膜將具有空腔的第一硅基板與第二硅基板接合，其中，

在所述第二硅基板中，與所述第一硅基板的所述空腔對置的部分比與所述第一硅基板接合的部分厚。

實用新型效果

根據(jù)本實用新型的空腔SOI基板，能夠抑制與第一硅基板的空腔對置的部分的平坦性的惡化。

附圖說明

圖1A是示出本實用新型的實施方式1的空腔SOI基板的一例的剖面構(gòu)造的概要剖視圖。

圖1B是示出本實用新型的實施方式1的空腔SOI基板的另一例的剖面構(gòu)造的概要剖視圖。

圖2A是示出本實用新型的實施方式1的空腔SOI基板的制造方法的前段的各工序的概要剖視圖。

圖2B是示出本實用新型的實施方式1的空腔SOI基板的制造方法的后段的各工序的概要剖視圖。

圖3A是示出本實用新型的實施方式1的空腔SOI基板的制造方法中在第二硅基板的一個面設(shè)置倒錐形狀的抗蝕劑圖案的工序的概要剖視圖。

圖3B是示出接著圖3A的工序?qū)Φ诙杌宓囊粋€面進(jìn)行蝕刻來設(shè)置與抗蝕劑圖案對應(yīng)的凸部的工序的概要剖視圖。

圖3C是示出圖3B的凸部的端部區(qū)域的形狀的放大剖視圖。

圖3D是示出去除圖3B的抗蝕劑圖案而得到的第二硅基板的剖面構(gòu)造的概要剖視圖。