[發明專利]磁性隧道結、磁阻式隨機存取存儲器和電子器件

在審

• 申請號: 202080105266.6
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN116114402A
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 秦青;周雪;路鵬;朱靖華
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H10N50/80
• 分類號: H10N50/80;H10N50/10;H10N50/85;H10B61/00
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 王君;肖鸝

一種磁性隧道結(200，300，400)、磁阻式隨機存取存儲器(50)和電子器件，能夠提高磁性隧道結的熱穩定性。該磁性隧道結包括：參考層區域(204)；隧穿層(203)，隧穿層的構成材料為MgO；自由層區域(202)，自由層區域(202)中包括第一自由層(2021)、至少一個第二自由層(2022)以及至少一個插入層(2023)；其中，第一自由層(2021)與隧穿層(203)相鄰，第一自由層(2021)的構成材料包括CoFeB，至少一個第二自由層(2022)的構成材料包括FeB，或者，至少一個第二自由層(2022)的構成材料包括CoFeB，并且Co的含量占比小于5％，插入層(2023)的構成材料包括非磁性材料，插入層(2023)間隔分布在第一自由層(2021)和至少一個第二自由層(2022)之間。

PCT國內申請，說明書已公開。