[發明專利]金屬體、嵌合型連接端子以及金屬體的形成方法

在審

• 申請號: 202080097060.3
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN115151683A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 巖本博之;宗形修;鶴田加一;中村勝司;近藤茂喜;土屋政人
• 申請（專利權）人: 千住金屬工業株式會社
• 主分類號: C25D5/12
• 分類號: C25D5/12;C25D5/18;C25D7/00;H01R13/03
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種金屬體，其特征在于，其是在以Cu作為主成分的金屬基材上形成有以Ni作為主成分的阻隔層、且在所述阻隔層的正上方形成有以Sn作為主成分的金屬鍍覆層而成的金屬體，

在所述金屬體的截面中，所述金屬鍍覆層中的含有Sn和Cu的金屬間化合物的面積相對于所述金屬鍍覆層的截面積的比率、即面積率為20％以下。

2.根據權利要求1所述的金屬體，其中，所述金屬鍍覆層由含有Ag、Bi、Cu、In、Ni、Co、Ge、Ga、Sb和P中的至少1種的Sn系合金形成。

3.根據權利要求1或2所述的金屬體，其中，在所述金屬鍍覆層的X射線衍射光譜中，顯示出最大峰強度的晶體取向的峰強度比(％)和最大峰傾斜角度與非最大峰傾斜角度的角度差為±6°以內的晶體取向的峰強度比(％)的總和為59.4％以下，所述最大峰傾斜角度是所述顯示出最大峰強度的晶體取向的c軸與所述金屬鍍覆層的膜厚方向所呈的角度，所述非最大峰傾斜角度是顯示出除所述最大峰強度以外的峰強度的晶體取向的c軸與所述金屬鍍覆層的膜厚方向所呈的角度。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的金屬體，其中，所述金屬鍍覆層的表面粗糙度為0.306μm以下。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的金屬體，其中，所述金屬鍍覆層的平均晶粒直徑為2.44μm以上。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的金屬體，其中，所述金屬鍍覆層的維氏硬度為14.1HV以下。

7.一種嵌合型連接端子，其具備權利要求1～6中任一項所述的金屬體。

8.一種權利要求1～6中任一項所述的金屬體的形成方法，其特征在于，采用如下工序：

阻隔層形成工序，在以Cu作為主成分的金屬基材上形成主成分為Ni的阻隔層；和，

金屬鍍覆層形成工序，通過電流密度超過5A/dm²且為50A/dm²以下、Duty比超過0.8且低于1的PR電鍍處理，在所述阻隔層的正上方形成金屬鍍覆層。

9.根據權利要求8所述的金屬體的形成方法，其中，在所述PR電鍍處理中，以金屬在所述阻隔層的正上方析出的方式流通的正向電流的正向電流值小于以所述阻隔層的正上方的金屬發生溶解的方式流通的逆向電流的逆向電流值。