[發(fā)明專(zhuān)利]電路體、電力轉(zhuǎn)換裝置及電路體的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202080096165.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115088065A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 露野円丈;高木佑輔;金子裕二朗 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 日立安斯泰莫株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/28 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/28;H01L25/07;H01L25/18;H01L21/56;H02M7/48 |
| 代理公司: | 上海華誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路 電力 轉(zhuǎn)換 裝置 制造 方法 | ||
1.一種電路體,其特在在于,
具備:功率半導(dǎo)體元件;第一導(dǎo)體板,其與所述功率半導(dǎo)體元件的一個(gè)面連接;第一片狀構(gòu)件,其具有第一樹(shù)脂絕緣層且至少覆蓋所述第一導(dǎo)體板的表面;密封材料,其密封所述功率半導(dǎo)體元件、所述第一導(dǎo)體板及所述第一片狀構(gòu)件的端部;以及第一冷卻構(gòu)件,其與所述第一片狀構(gòu)件密接,
所述第一片狀構(gòu)件具有:所述第一片狀構(gòu)件的所述端部被所述密封材料覆蓋的埋沒(méi)部;作為與所述第一導(dǎo)體板的表面重疊的區(qū)域的散熱面部;以及作為所述埋沒(méi)部和所述散熱面部之間的區(qū)域的余白部,所述余白部比所述散熱面部向內(nèi)部后退,所述埋沒(méi)部比所述余白部向內(nèi)部后退。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路體,其特征在于,
具備:第二導(dǎo)體板,其與所述功率半導(dǎo)體元件的另一個(gè)面連接;第二片狀構(gòu)件,其具有第二樹(shù)脂絕緣層并至少覆蓋所述第二導(dǎo)體板的表面;以及第二冷卻構(gòu)件,其與所述第二片狀構(gòu)件密接,
所述密封材料密封所述第二導(dǎo)體板及所述第二片狀構(gòu)件的端部,
所述第二片狀構(gòu)件具有:所述第二片狀構(gòu)件的所述端部被所述密封材料覆蓋的埋沒(méi)部;作為與所述第二導(dǎo)體板的表面重疊的區(qū)域的散熱面部;以及作為所述埋沒(méi)部與所述散熱面部之間的區(qū)域的余白部,所述余白部比所述散熱面部向內(nèi)部后退,所述埋沒(méi)部比所述余白部向內(nèi)部后退。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路體,其特征在于,
所述第一片狀構(gòu)件是層疊所述第一樹(shù)脂絕緣層和第一金屬箔而成的,
所述第一冷卻構(gòu)件隔著所述第一金屬箔與所述第一片狀構(gòu)件的所述散熱面部密接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路體,其特征在于,
所述第二片狀構(gòu)件是層疊所述第二樹(shù)脂絕緣層和第二金屬箔而成的。
所述第二冷卻構(gòu)件隔著所述第二金屬箔與所述第二片狀構(gòu)件的所述散熱面部密接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路體,其特征在于,
所述第一冷卻構(gòu)件隔著熱傳導(dǎo)構(gòu)件與所述第一片狀構(gòu)件密接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路體,其特征在于,
所述第二冷卻構(gòu)件隔著熱傳導(dǎo)構(gòu)件與所述第二片狀構(gòu)件密接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的電路體,其特征在于,
所述密封材料相對(duì)于溫度的收縮量比所述第一導(dǎo)體板相對(duì)于溫度的收縮量大。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的電路體,其特征在于,
所述密封材料相對(duì)于溫度的收縮量比所述第二導(dǎo)體板相對(duì)于溫度的收縮量大。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路體,其特征在于,具備:
第一端子,其從所述功率半導(dǎo)體元件導(dǎo)出,與電容器連接;以及
第二端子,其在與所述第一端子相反的一側(cè)從所述功率半導(dǎo)體元件導(dǎo)出,并與馬達(dá)連接。
10.一種電力轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,
其由權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的電路體構(gòu)成,將直流電力轉(zhuǎn)換為交流電力。
11.一種電路體的制造方法,其特征在于,由如下工序構(gòu)成:
第一工序,是用密封材料密封功率半導(dǎo)體元件、與所述功率半導(dǎo)體元件的一個(gè)面連接的第一導(dǎo)體板、和具有第一樹(shù)脂絕緣層且至少覆蓋所述第一導(dǎo)體板的表面的第一片狀構(gòu)件的工序,所述第一片狀構(gòu)件具有所述第一片狀構(gòu)件的端部被所述密封材料覆蓋的埋沒(méi)部、作為與所述第一導(dǎo)體板的表面重疊的區(qū)域的散熱面部、和作為所述埋沒(méi)部與所述散熱面部之間的區(qū)域的余白部,使所述埋沒(méi)部比所述散熱面部及所述余白部向內(nèi)部后退,用所述密封材料密封;
第二工序,使所述密封材料固化收縮,使所述余白部比所述散熱面部向內(nèi)部后退;以及
第三工序,使冷卻構(gòu)件與所述第一片狀構(gòu)件密接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路體的制造方法,其特征在于,
所述第三工序包括隔著熱傳導(dǎo)構(gòu)件使所述冷卻構(gòu)件與所述第一片狀構(gòu)件密接的工序。
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