[發明專利]電壓產生系統的調節

在審

• 申請號: 202080088190.0
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN114846547A
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: M·特里帕蒂;M·皮卡爾迪;郭曉江
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C16/04;G11C16/30;G11C16/32;G05F1/46;G05F1/575;H02M3/07;H02M3/156;H05K1/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 丁昕偉

電壓產生系統可包含電阻性分壓器，其具有連接于其輸出與第一反饋節點之間的第一電阻，并且具有連接于所述第一反饋節點與第一電壓節點之間的第二電阻；電容性分壓器，其具有連接于其輸出與第二反饋節點之間的第一電容，并且具有連接于所述第二反饋節點與所述第一電壓節點之間的第二電容；比較器，其具有連接到所述第二反饋節點的輸入；和電壓產生電路，其被配置成響應于所述比較器的輸出并且響應于時鐘信號而在其輸出處產生電壓電平，其中所述第一反饋節點選擇性地連接到所述第二反饋節點并且選擇性地連接到第二電壓節點，所述第一電阻選擇性地連接到所述第一反饋節點，且所述第二電阻選擇性地連接到所述第一電壓節點。

技術領域

本公開大體上涉及集成電路，且特定來說，在一或多個實施例中，本公開涉及用于集成電路(例如存儲器)中的電壓產生系統的調節的設備和方法。

背景技術

集成電路裝置普遍存在于廣泛范圍的電子裝置中。一種特定類型包括存儲器裝置，時常簡稱為存儲器。存儲器裝置通常提供為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路裝置。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)和快閃存儲器。

快閃存儲器已發展成用于多種多樣的電子應用的廣受歡迎的非易失性存儲器來源。快閃存儲器通常使用支持高存儲器密度、高可靠性和低功耗的單晶體管存儲器單元。通過對電荷存儲結構(例如，浮動柵極或電荷陷阱)或其它物理現象(例如，相變或偏振)進行編程，存儲器單元的閾值電壓(Vt)改變確定每個存儲器單元的數據狀態(例如，數據值)。快閃存儲器和其它非易失性存儲器的常見用途包含個人計算機、個人數字助理(PDA)、數碼相機、數字媒體播放器、數字記錄器、游戲、電氣設備、車輛、無線裝置、移動電話和可拆卸式存儲器模塊，且非易失性存儲器的用途在持續擴大。

NAND快閃存儲器是常用類型的快閃存儲器裝置，如此稱謂的原因在于布置基本存儲器單元配置的邏輯形式。通常，用于NAND快閃存儲器的存儲器單元陣列布置成使得陣列中的一行中的每個存儲器單元的控制柵極連接在一起以形成存取線，例如字線。陣列中的列包含在一對選擇柵極之間，例如在源極選擇晶體管與漏極選擇晶體管之間，串聯連接在一起的存儲器單元串(常常稱為NAND串)。每一源極選擇晶體管可連接到源極，而每一漏極選擇晶體管可連接到數據線，例如列位線。使用存儲器單元串與源極之間和/或存儲器單元串與數據線之間的超過一個選擇柵極的變型是已知的。

集成電路裝置通常由兩個或更多個外部供應的電壓(例如Vcc和Vss)供電。除所述供應電壓之外，集成電路裝置通常還產生供在所述裝置的操作中使用的其它電壓。舉例來說，在存儲器中，通常在存取操作期間，例如在感測操作、編程操作(通常被稱為寫入操作)或擦除操作期間利用這類內部產生的電壓。內部產生的電壓通常高于(例如，高得多)或低于任何供應電壓。

通常使用電荷泵或其它電壓產生電路執行從供應電壓產生其它電壓電平的操作。電荷泵通常利用交替開關的電容(例如，電容器)從供應電壓產生更高或更低電壓。電力效率在集成電路裝置的設計和使用中通常是重要的考慮因素，這些內部電壓的產生和傳輸通常引起顯著的電力損耗。

附圖說明

圖1是根據實施例的作為電子系統的部分與處理器通信的存儲器的簡化框圖。

圖2A-2B是可用于參考圖1所描述的類型的存儲器中的存儲器單元陣列的部分的示意圖。

圖3是相關技術的常規電荷泵的示意圖。

圖4是相關技術的電壓產生系統的示意框圖。

圖5是根據實施例的電壓產生系統的示意框圖。

圖6是根據實施例的控制信號產生器的示意框圖。

圖7是根據實施例的圖6的各個信號的定時圖的概念實例。

圖8是根據實施例的操作電壓產生系統的方法的流程圖。