[發明專利]具有改善的尺寸穩定性的聚酰亞胺薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 202080077421.8 | 申請日： | 2020-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN114651036B | 公開（公告）日： | 2023-10-24 |
| 發明（設計）人： | 李吉男;金紀勛 | 申請（專利權）人： | 聚酰亞胺先端材料有限公司 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;C08G73/10;C08K3/36;B32B27/08;B32B27/28;B32B27/20;B32B15/08 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 李光輝;姚開麗 |
| 地址： | 韓國忠*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 改善 尺寸 穩定性 聚酰亞胺 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種聚酰亞胺薄膜，其中，所述聚酰亞胺薄膜通過對包含二酐成分和二胺成分的聚酰胺酸溶液進行酰亞胺化反應而獲得，所述二酐成分包含二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐和均苯四羧酸二酐，所述二胺成分包含二胺基二苯醚、對苯二胺和3,5-二氨基苯甲酸，
其中，以所述二胺成分的總含量100摩爾％為基準，所述二胺基二苯醚的含量為10摩爾％以上且30摩爾％以下，所述對苯二胺的含量為50摩爾％以上且70摩爾％以下，所述3,5-二氨基苯甲酸的含量為5摩爾％以上且25摩爾％以下，
包含5～25重量％的納米二氧化硅顆粒。
2.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其中，以所述二酐成分的總含量100摩爾％為基準，
所述二苯甲酮四羧酸二酐的含量為10摩爾％以上且30摩爾％以下，
所述聯苯四羧酸二酐的含量為40摩爾％以上且70摩爾％以下，
所述均苯四羧酸二酐的含量可以為10摩爾％以上且50摩爾％以下。
3.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其中，所述納米二氧化硅顆粒的平均直徑可以為5～50nm。
4.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其中，所述聚酰亞胺薄膜的強度為300～400MPa，伸長率為30～50％。
5.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其中，取向度的最大值與最小值之差為大于0.01且0.05以下。
6.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其中，主取向方向和與主取向方向正交的副取向方向的熱膨脹系數之差為2～7ppm。
7.一種聚酰亞胺薄膜的制備方法，所述方法包括：
第一步驟(a)，將包含二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐和均苯四羧酸二酐的二酐成分和包含二胺基二苯醚、對苯二胺和3,5-二氨基苯甲酸的二胺成分在有機溶劑中進行聚合以制備聚酰胺酸；以及
第二步驟(b)，在所述第一步驟的聚酰胺酸中加入5～25重量％的納米二氧化硅顆粒并混合，
其中，以所述二胺成分的總含量100摩爾％為基準，所述二胺基二苯醚的含量為10摩爾％以上且30摩爾％以下，所述對苯二胺的含量為50摩爾％以上且70摩爾％以下，所述3,5-二氨基苯甲酸的含量為5摩爾％以上且25摩爾％以下。
8.根據權利要求7所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法，其中，以所述二酐成分的總含量100摩爾％為基準，
所述二苯甲酮四羧酸二酐的含量為10摩爾％以上且30摩爾％以下，
所述聯苯四羧酸二酐的含量為40摩爾％以上且70摩爾％以下，
所述均苯四羧酸二酐的含量為10摩爾％以上且50摩爾％以下。
9.根據權利要求7所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法，其中，所述聚酰亞胺薄膜的強度為300～365MPa，伸長率為30～50％。
10.根據權利要求7所述的聚酰亞胺薄膜制備方法，其中，取向度的最大值與最小值之差為大于0.01且0.05以下，主取向方向和與主取向方向正交的副取向方向的熱膨脹系數之差可以為2～7ppm。
11.一種多層薄膜，其中，包括權利要求1～6中任一項所述的聚酰亞胺薄膜和熱塑性樹脂層。
12.一種柔性金屬箔層壓板，其中，包括權利要求1～6中任一項所述的聚酰亞胺薄膜和導電性金屬箔。
13.一種電子部件，其中，包括權利要求12所述的柔性金屬箔層壓板。
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