[發(fā)明專利]防反射結(jié)構(gòu)體及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080077166.7
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN114641709A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 栗原一真;穂苅遼平;福井博章
• 申請（專利權(quán)）人: 國立研究開發(fā)法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所;東亞電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: G02B1/118
• 分類號: G02B1/118;B32B3/30;B32B7/023;B32B9/00;C03C17/245;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/34
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 褚瑤楊;龐東成

1.一種防反射結(jié)構(gòu)體，該防反射結(jié)構(gòu)體在透明的基材B的表面部S和從各孔Hn的底部起的上部方向的空間部Cn配置有金屬氧化物膜，該透明的基材B形成有多個與平坦的表面垂直的方向的截面形狀為U字狀或V字狀的孔Hn，關(guān)于該各孔Hn的形狀，開口部的平均直徑m為50nm～300nm，與相鄰的開口部之間的各中心點的平均間隔k為100nm～400nm，并且，以表面部S為基準(zhǔn)的各孔Hn的深度dn為80nm～250nm的范圍，

該防反射結(jié)構(gòu)體的特征在于，

配置于各空間部Cn的金屬氧化物膜的厚度tn隨著各孔Hn的深度dn變深而增加，

由此，從配置于所述表面部S的金屬氧化物膜的最表面部Sm至配置于各空間部Cn內(nèi)的金屬氧化物膜的表面部的各孔Hn間的深度fn之差減少。

2.如權(quán)利要求1所述的防反射結(jié)構(gòu)體，其中，配置于所述基材B的表面部S的金屬氧化物膜為薄膜，

配置于從所述各孔Hn的底部起的上部方向的空間部Cn的金屬氧化物膜為纖維狀的柱狀膜。

3.如權(quán)利要求1或2所述的防反射結(jié)構(gòu)體，其中，所述基材B的平坦的表面部S的“算術(shù)平均粗糙度Ra”為50nm以下，該表面部S中的開口部的面積比例即開口率r為50面積％～80面積％。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的防反射結(jié)構(gòu)體，其中，配置于所述基材B的表面部S的金屬氧化物膜的厚度p為20nm～60nm。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的防反射結(jié)構(gòu)體，其中，配置于所述基材B的表面部S的金屬氧化物膜的厚度p為20nm～40nm，

關(guān)于從所述基材B的最表面部Sm至配置于從各孔Hn的底部起的上部方向的空間部Cn內(nèi)的金屬氧化物膜的表面部的各孔Hn的單位為nm的深度fn，

將以表面部S為基準(zhǔn)的各孔Hn的單位為nm的深度表示為dn，將配置于表面部S的金屬氧化物膜的厚度表示為p時，為下述式(i)所示的范圍，

fn＝[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.90～[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.10···(i)。

6.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的防反射結(jié)構(gòu)體，其中，配置于所述基材B的表面部S的金屬氧化物膜的厚度p為20nm～40nm，

關(guān)于從所述基材B的最表面部Sm至配置于從各孔Hn的底部起的上部方向的空間部Cn內(nèi)的金屬氧化物膜的表面部的各孔Hn的單位為nm的深度fn，

將以表面部S為基準(zhǔn)的各孔Hn的單位為nm的深度表示為dn，將配置于表面部S的金屬氧化物膜的厚度表示為p時，為下述式(ii)所示的范圍，

fn＝[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×0.95～[(0.195dn+95.5)+(p-25)]×1.05···(ii)。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的防反射結(jié)構(gòu)體，其中，形成所述金屬氧化物膜的金屬氧化物為氧化硅、氧化鋁、氧化鈦以及氧化鋯中的任一種。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的防反射結(jié)構(gòu)體，其中，配置于所述表面部S的金屬氧化物膜以及配置于從各孔Hn的底部起的上部方向的空間部Cn的金屬氧化物膜為通過具有等離子體源的真空成膜裝置形成的膜。