[發(fā)明專利]成膜方法及成膜裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080076110.X
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN114651087A
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設計）人: 佐藤英兒;坂本仁志
• 申請（專利權）人: 新烯科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/40;H01L21/31;H01L21/316
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 褚瑤楊;龐東成

一種成膜方法，其是在成膜對象(1)上進行CVD膜(4)和ALD膜(5)的成膜的成膜方法。在進行ALD膜的成膜的ALD處理中，重復實施2次以上ALD循環(huán)，所述ALD循環(huán)包括：第一工序，其使配置有成膜對象的反應容器(20)充滿經(jīng)由第一供給管(100)導入的原料氣體；第二工序，其在第一工序后將原料氣體從反應容器排出；第三工序，其在第二工序后，使反應容器充滿在第二供給管(200)內(nèi)被電感耦合等離子體活化并經(jīng)由第二供給管(200)導入的反應氣體；和第四工序，其在第三工序后將反應氣體從反應容器排出。在進行CVD膜的成膜的CVD處理中，至少實施1次ALD循環(huán)，且第二工序在使原料氣體殘留于反應容器的氣相中的狀態(tài)下結(jié)束。

技術領域

本發(fā)明涉及能夠在同一反應容器內(nèi)連續(xù)地進行CVD(Chemical VaporDeposition：化學氣相沉積)膜和ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)膜的成膜的成膜方法以及成膜裝置。

背景技術

專利文獻1中記載了在同一反應容器內(nèi)形成CVD膜后形成ALD膜的方法。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2018-59173號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術問題

在專利文獻1中，CVD膜和ALD膜的形成中共用的原料氣體和反應氣體經(jīng)由配置在反應容器的上游的噴頭而被導入反應容器。配置于反應容器并載置成膜對象的載置臺成為下部電極，包含噴頭的容器的上部構(gòu)造成為上部電極，在反應容器內(nèi)生成等離子體。

在形成ALD膜的ALD處理中，為了分離吸附階段和反應階段，吸附階段所需的原料氣體和反應階段所需的反應氣體隔著排氣(包括吹掃)交替地供給至反應容器。另一方面，在形成CVD膜的CVD處理中，原料氣體和反應氣體經(jīng)由噴頭同時供給，設定反應容器內(nèi)為容易生成等離子體的例如幾百Pa左右的壓力。因此，在CVD處理中，在氣相中發(fā)生反應，而且氣體分壓比較高，因此成為產(chǎn)生顆粒、副產(chǎn)物的原因。此外，在專利文獻1中，是達350℃～550℃的高溫處理。

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)CVD處理與ALD處理的共通化而使兩處理的控制簡便，并且能夠進行低溫處理，能夠抑制顆粒、副產(chǎn)物的產(chǎn)生的成膜方法以及成膜裝置。

解決技術問題的手段

本發(fā)明的一個方式涉及一種成膜方法，其是在成膜對象上進行CVD膜和ALD膜的成膜的成膜方法，其中，在進行上述ALD膜的成膜的ALD處理中，重復實施2次以上ALD循環(huán)，上述ALD循環(huán)包括：第一工序，其使配置有成膜對象的反應容器充滿經(jīng)由第一供給管導入的原料氣體；第二工序，其在上述第一工序后，對上述反應容器的氣相中的上述原料氣體進行排氣；第三工序，其在上述第二工序后，使上述反應容器充滿在第二供給管內(nèi)被電感耦合等離子體活化并經(jīng)由上述第二供給管導入的反應氣體；和第四工序，其在上述第三工序后，將上述反應氣體從上述反應容器排出；在將上述CVD膜進行成膜的CVD處理中，至少實施1次上述ALD循環(huán)，并且，上述第二工序的排氣在使上述原料氣體殘留于上述反應容器的氣相中的狀態(tài)下結(jié)束。