[發明專利]發光元件及其制造方法

在審

• 申請號: 202080075882.1
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN114616684A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 門脅嘉孝;櫻庭涉吾;田中治
• 申請（專利權）人: 同和電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種發光元件，其特征在于，具備半導體層疊體，所述半導體層疊體依次具有：

未摻雜或摻雜了n型摻雜劑的第1InAs層；

包含InAs_ySb_1-y層(0＜y＜1)的活性層；

膜厚為5～40nm的Al_xIn_1-xAs電子阻擋層(0.05≤x≤0.4)；和

摻雜了p型摻雜劑的第2InAs層。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其中，

所述活性層還具有InAs_zP_1-z層(0＜z＜1)，

所述活性層具有以所述InAs_ySb_1-y層為阱層、以所述InAs_zP_1-z層為勢壘層的量子阱結構。

3.根據權利要求1或2所述的發光元件，其中，

從所述活性層輻射的光的發光峰波長為3.4μm以上。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的發光元件，其中，

在所述Al_xIn_1-xAs電子阻擋層摻雜有Zn摻雜劑。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的發光元件，其具備：

支承基板；

金屬接合層，其設置于所述支承基板的表面；

所述金屬接合層上的配電部，其具有具備貫通孔的透明絕緣層和設置于所述貫通孔的歐姆電極部；和

所述半導體層疊體，其設置在所述配電部上。

6.一種權利要求1所述的發光元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成所述第1InAs層的工序；

在所述第1InAs層上形成所述活性層的工序；

在所述活性層上形成所述Al_xIn_1-xAs電子阻擋層的工序；和

在所述Al_xIn_1-xAs電子阻擋層上形成所述第2InAs層的工序。

7.一種權利要求1所述的發光元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成所述第2InAs層的工序；

在所述第2InAs層上形成所述Al_xIn_1-xAs電子阻擋層的工序；

在所述Al_xIn_1-xAs電子阻擋層上形成所述活性層的工序；和

在所述活性層上形成所述第1InAs層的工序。