[發(fā)明專利]用于制造氣體的方法和氣體制造裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080075252.4
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN114728238A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 克勞斯·沃森卡爾;迪爾克·沃爾梅林
• 申請（專利權(quán)）人: 邁姆比昂有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): B01D63/02
• 分類號(hào): B01D63/02
• 代理公司: 北京瀚仁知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11482
• 代理人: 宋寶庫;江宇

1.一種用于將氣體(1)導(dǎo)入液體(2)中的方法，所述方法包括：

以順序脈沖的方式用所述氣體(1)填充布置在所述液體(2)的表面(4)下方并由所述液體(2)的液位(5)沿向下方向限定的氣體容積(6)，其中所述氣體(1)同時(shí)將所述液體(2)從頂部向底部排出氣體提升通道(14、25、30、46、57、70)，直到所述液位(5)下降到氣體流出通道(13、29、42、53、73)的入口橫截面(12、24、43、55、72)下方；

隨后所述氣體(1)向下流過所述氣體提升通道(14、25、30、46、57、70)和在底部鄰接所述氣體提升通道的偏轉(zhuǎn)部分(11、45、56、71)，沿向上的方向通過所述入口橫截面(12、24、43、55、72)并通過在頂部處鄰接所述入口橫截面(12、24、43、55、72)的氣體流出通道(13、29、42、53、73)到達(dá)所述表面(4)，其中所述液體的阻塞流(18)流過所述氣體提升入口(16、32、60、69)下方的補(bǔ)償入口(17、21、33、48、62、75)到達(dá)所述入口橫截面(12、24、43、55、72)，并且被所述氣體(1)夾帶直到所述液體(2)填充所述偏轉(zhuǎn)部分(11、45、56、71)，從而關(guān)閉所述氣體(1)的入口橫截面(12、24、43、55、72)；

其特征在于：

在所述液位(5)已經(jīng)下降到所述入口橫截面(12、24、43、55、72)下方之后，最初只有所述氣體(1)流過所述氣體出口通道(13、29、42、53、73)，直到所述液位(5)上升到所述補(bǔ)償入口(17、21、33、48、62、75)上方，以及

然后僅所述阻塞流(18)穿過所述補(bǔ)償入口(17、21、33、48、62、75)到達(dá)所述入口橫截面(12、24、43、55、72)。

2.一種用于在浸沒在液體(2)中的膜過濾器(64)中過濾液體(2)的方法，所述膜過濾器包括膜(76)，其中將氣體(1)從下方導(dǎo)入所述膜過濾器(64)中以清潔所述膜(76)，

其特征在于，所述氣體(1)根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法流過所述氣體流出通道(13、29、42、53、73)，并且隨后被導(dǎo)入所述膜過濾器(64)中。

3.一種氣體導(dǎo)入裝置(3.19、26、27、28、41、50、63)，包括：

－向下打開的氣體收集室(7、23、34、44、51、65)，其由上壁(8、22、39、54、68)和側(cè)壁(9、20、40、47、52、66)限定；

－氣體入口(10、36、37、38、67)，其構(gòu)造成使氣體(1)進(jìn)入氣體收集室(7、23、34、44、51、65)；

－氣體提升通道(14、25、30、46、57、70)，其構(gòu)造成將氣體提升出氣體收集室(7、23、34、44、51、65)并排空氣體收集室(7、23、34、44、51、65)，其中氣體提升通道(14、25、30、46、57、70)包括在氣體收集室(7、23、34、44、51、65)的頂部中的氣體提升入口(16、32、60、69)；

－在所述氣體提升通道(14、25、30、46、57、70)的底部處的偏轉(zhuǎn)部分(11、45、56、71)；

－入口橫截面(12、24、43、55、72)，其被布置在所述偏轉(zhuǎn)部分(11、45、56、71)的頂部上，其中氣體出口通道(13、29、42、53、73)在頂部處鄰接所述偏轉(zhuǎn)部分；以及

－補(bǔ)償入口(17、21、33、48、62、75)，其被布置在所述氣體提升入口(16、32、60、69)下方并且可流動(dòng)至所述入口橫截面(12、24、43、55、72)，

其特征在于：

所述補(bǔ)償入口(17、21、33、48、62、75)被布置在所述入口橫截面(12、24、43、55、72)的液位處或以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體導(dǎo)入裝置(3、19、26、27、28、41、50、63)，其特征在于，所述補(bǔ)償入口(17、21、33、48、62、75)構(gòu)造在所述氣體提升通道(14、25、30、46、57、70)處。