[發明專利]感光傳感器及其制作方法、可移動平臺

在審

• 申請號: 202080074695.1
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114641866A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 徐澤;肖琳;占世武
• 申請（專利權）人: 深圳市大疆創新科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/107;H01L31/18;H01L27/144;G01S17/02
• 代理公司: 深圳市力道知識產權代理事務所(普通合伙) 44507
• 代理人: 賀小旺

一種感光傳感器，包括：一個或多個雪崩二極管，每個雪崩二極管包括：有源感光區，具有第一側和與第一側相背對的第二側，且第二側設有入光面：位于第一側的第一摻雜區和第二摻雜區；第一反光結構，靠近第一側、并且與第一摻雜區和第二摻雜區相對設置，用于將來自有源感光區的光線反射回有源感光區。本申請的感光傳感器具有較高的量子吸收效率，還提供了制作方法和可移動平臺。

技術領域

本申請涉及感光傳感器技術領域，尤其涉及一種感光傳感器及其制作方法、可移動平臺。

背景技術

利用雪崩二極管(APD)的傳感器，如飛行時間傳感器(TOF)廣泛用于消費電子、安防監控、工業自動化、人工智能、物聯網等領域，用于空間距離數據信息的采集和整理，為后續處理和應用提供信息源。

硅基APD的應用較為廣泛，但是由于硅自身材料的性質，其對波長較長的紅外光吸收能力較弱，需要較厚的有源吸收區才能有較好的量子吸收效率(QE)，而通常的半導體工藝中難以形成較厚的有源吸收區，由于有源吸收區厚度不夠，量子吸收效率較低，一般很難超過15％，傳感器性能較低，限制了其應用。

發明內容

本申請提供了一種感光傳感器及其制作方法、可移動平臺，具有較高的量子吸收效率。

第一方面，本申請實施例提供了一種感光傳感器，包括：一個或多個雪崩二極管，每個所述雪崩二極管包括：

有源感光區，具有第一側和與所述第一側相背對的第二側，且所述第二側設有入光面：

位于所述第一側的第一摻雜區和第二摻雜區；

第一反光結構，靠近所述第一側、并且與所述第一摻雜區和所述第二摻雜區相對設置，用于將來自所述有源感光區的光線反射回所述有源感光區。

第二方面，本申請實施例提供了一種感光傳感器的制作方法，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成一個或多個雪崩二極管，所述雪崩二極管包括有源感光區，所述有源感光區具有第一側和與所述第一側相背對的第二側，且所述第二側設有入光面，所述雪崩二極管還包括位于所述第一側的第一摻雜區和第二摻雜區；

靠近所述第一側形成第一反光結構，所述第一反光結構與所述第一摻雜區和所述第二摻雜區相對設置，用于將來自所述有源感光區的光線反射回所述有源感光區。

第三方面，本申請實施例提供了一種可移動平臺，包括：

前述的感光傳感器；

運動組件；

處理器，所述處理器根據所述感光傳感器的輸出信號，控制所述運動組件運動。

本申請實施例提供了一種感光傳感器及其制作方法、可移動平臺，通過在感光傳感器中設置反光結構，可以使得至少部分光線能在有源感光區內反復穿行，增加了在有源感光區中的光程，從而可以增加光子被吸收的概率，使得感光傳感器具有較高的量子吸收效率，可以提高感光傳感器的探測精度和探測距離。

應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請實施例的公開內容。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請實施例提供的一種感光傳感器的結構示意圖；

圖2是一實施方式中感光傳感器用于測距的原理示意圖；

圖3是一實施方式中感光傳感器的示意性框圖；