[發明專利]制造半導體結構

在審

• 申請號: 202080074205.8
• 申請日: 2020-10-16
• 公開（公告）號: CN114616648A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 瑪麗亞·約翰娜·海倫娜·約赫姆
• 申請（專利權）人: 思敏光子控股有限責任公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/306;H01L21/764;H01L21/82;H01S5/20;G02B6/13;G02B6/12;B81C1/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 劉彬

1.一種制造一半導體結構的方法，所述方法包含：

沉積一第一層，使該第一層與一基材的一第一表面區域接觸，該基材具有一第一半導體材料且該第一層具有一第二半導體材料；

沉積一第二層，使該第二層與該基材的一第二表面區域接觸，該第二表面區域基本上與該第一表面區域共面且在該第一表面區域之外，且該第二層具有該第一半導體材料或一第三半導體材料；

沉積一第三層，使所述第三層與該第一層及該第二層接觸，該第三層具有該第一半導體材料或該第三半導體材料或一第四半導體材料；

移除該第三層的一部分以暴露該第一層的一部分；及

移除該第一層的至少一部分以在該基材、該第二層與該第三層之間產生一空腔。

2.如權利要求1所述的方法，其中該第一半導體材料包含磷化銦。

3.如權利要求1或權利要求2所述的方法，其中該第二半導體材料是不包含磷化銦的一三元合金或一四元合金。

4.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中該第一層具有一第一厚度且該第二層具有基本上等于該第一厚度的一第二厚度。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其包含：

移除該第一層的一外部分以暴露該第二表面區域。

6.如權利要求5所述的方法，其中該移除包含一蝕刻制程。

7.如權利要求6所述的方法，其中該蝕刻制程為一干式蝕刻制程。

8.如前述權利要求中任一項所述的方法，其包含沉積該第二層以鄰接該第一層的一側表面。

9.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中移除該第三層的一部分包含：使用一光罩選擇性地蝕刻該第三層的一部分。

10.如權利要求9所述的方法，其中該選擇性蝕刻包含：一干式蝕刻制程、一濕式蝕刻制程或濕式蝕刻制程與干式蝕刻制程的一組合。

11.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中移除該第一層的該至少一部分包含：施加一蝕刻劑，該蝕刻劑相對于第一材料優先地蝕刻第二材料。

12.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中該第三半導體材料或該第四半導體材料中的至少一者包含以下中之一或多者：磷化銦、砷化鎵、氮化鎵或銻化鎵。

13.如前述權利要求中任一項所述的方法，其包含用一介電材料至少部分地填充該空腔。

14.如權利要求13所述的方法，其中該介電材料包含以下中之一或多者：苯環丁烯(BCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或SU-8。

15.一種半導體結構，包含：

一第一半導體材料的一基材；

與該基材的一外表面區域接觸的一層；

與同該基材的該外表面區域接觸的該層接觸的一層，這些層中的每一者具有該第一半導體材料；及

以下中的至少一者：

一空腔，或

一介電材料

該至少一者由這些層及該基材的基本上與該外表面區域共面的一內表面區域界限。

16.如權利要求16所述的半導體結構，其中該第一半導體材料包含磷化銦。

17.如權利要求16所述的半導體結構，其中該第二半導體材料是包含磷化銦的一三元合金或一四元合金。

18.如權利要求15至權利要求17中任一項所述的半導體結構，其中該空腔用一介電材料填充。