[發(fā)明專利]層疊結(jié)構(gòu)體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080074180.1
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN114630919A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 歲森悠人;野中莊平
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/34;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/00
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 辛雪花;周艷玲

1.一種層疊結(jié)構(gòu)體，具備基材和形成于該基材的一面的層疊膜，所述層疊結(jié)構(gòu)體的特征在于，

所述層疊膜具有由Ag或Ag合金組成的Ag膜和與該Ag膜的一面及另一面相鄰層疊的介電膜，

與所述Ag膜相鄰層疊的所述介電膜中的至少一個介電膜是包含Ga、Ti及Zn的GaTiZn氧化物膜，

所述GaTiZn氧化物膜形成于所述層疊膜的最表層以外的部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述GaTiZn氧化物膜是由金屬成分和氧組成的氧化物，相對于所述GaTiZn氧化物膜的所有金屬成分100原子％，所述GaTiZn氧化物膜的所述金屬成分含有0.5原子％以上且20.0原子％以下的Ga、以及0.5原子％以上且20.0原子％以下的Ti，剩余部分是Zn及不可避免的雜質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述GaTiZn氧化物膜的厚度為5nm以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的層疊結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述Ag膜在合計0.01原子％以上且20.0原子％以下的范圍內(nèi)含有選自In、Sn、Cu、Ge、Sb、Au、Pt、Pd、Mg、Ca及Ti中的一種或兩種以上，剩余部分是Ag及不可避免的雜質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的層疊結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述Ag膜的厚度在5nm以上且20nm以下的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的層疊結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

在所述Ag膜的與所述基材相反的面?zhèn)扰湓O(shè)有AlSiZn氧化物膜，所述AlSiZn氧化物膜是由金屬成分和氧組成的氧化物，所述金屬成分包含Al及Si，剩余部分是Zn及不可避免的雜質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

相對于所述AlSiZn氧化物膜的所有金屬成分100原子％，所述AlSiZn氧化物膜的所述金屬成分含有0.5原子％以上且20.0原子％以下的Al、以及0.5原子％以上且40.0原子％以下的Si，剩余部分是Zn及不可避免的雜質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的層疊結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述AlSiZn氧化物膜的厚度為10nm以上。