[發(fā)明專利]一種多晶SiC成型體在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080067860.0 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN114430782A | 公開（公告）日： | 2022-05-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 牛島裕次;杉原孝臣;奧山圣一 | 申請（專利權）人： | 東海炭素株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B28/14;C30B33/06;C01B32/977;C23C16/32;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產(chǎn)權代理有限公司 11262 | 代理人： | 張瑞;鄭霞 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 sic 成型 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶SiC成型體，其中，
所述多晶SiC成型體的電阻率為0.050Ωcm以下，
在拉曼光譜中波數(shù)為760～780cm-1范圍內(nèi)的峰強度為“A”，在拉曼光譜中波數(shù)為790～800cm-1范圍內(nèi)的峰強度為“B”，則峰比率(A/B)為0.100以下。
2.根據(jù)權利要求1所述的多晶SiC成型體，其中，氮含量為200ppm(質(zhì)量百萬分比)以上。
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