[發(fā)明專利]基于永磁體的磁化器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080067652.0 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN114514588A | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 阿蘭·伊沃·瑟高·索倫森;H·拉斯馬森;A·索雷亞;弗萊明·布斯·本迪克森 | 申請(專利權)人: | 格蘭富控股公司 |
| 主分類號: | H01F7/02 | 分類號: | H01F7/02;H01F13/00 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 李琛 |
| 地址: | 丹麥比耶*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 永磁體 磁化 | ||
1.一種磁化器,包括殼體、布置在所述殼體內的通道、以及布置在所述通道外部以提供穿過所述通道的磁場的永磁體組件,所述殼體包括通向所述通道的入口和離開所述通道的出口,使得待磁化的物體能夠經由所述殼體中的所述入口被插入所述通道中并且經由所述殼體中的所述出口被移除,其特征在于,所述通道包括:
a.均勻部,其中,所述永磁體組件的相對表面沿著所述均勻部的長度以均勻的距離間隔地布置,以及
b.發(fā)散部,所述發(fā)散部布置在所述通道的所述均勻部的一端與所述殼體的所述出口之間,其中,所述永磁體組件的相對表面發(fā)散,使得所述發(fā)散部的最靠近所述均勻部的相對表面之間的距離小于所述發(fā)散部的最靠近所述出口的相對表面之間的距離,并且
c.所述發(fā)散部的相對表面的法向量相對于所述通道的縱向中心軸線的平均角度(B)大于45度。
2.根據權利要求1所述的磁化器,其特征在于,所述永磁體組件包括:永磁體,所述永磁體被布置在所述通道外部;以及插入件,所述插入件被布置在所述永磁體與所述通道之間,所述插入件由相對磁導率大于1的材料制成。
3.根據權利要求1或2所述的磁化器,其特征在于,所述均勻部的相對表面之間的距離D3是固定的。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的磁化器,其特征在于,所述發(fā)散部的最靠近所述出口的相對表面之間的距離D4是所述均勻部的相對表面之間的距離D3的至少1.2倍。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的磁化器,其特征在于,所述發(fā)散部在與所述通道的縱向中心軸線平行的方向上的長度D2大于所述均勻部的所述相對表面之間的距離D3的0.5倍。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的磁化器,其特征在于,所述殼體中的所述入口和所述出口是同一開口,使得所述待磁化的物體經由所述殼體中的同一開口被引入到所述通道中并從所述通道中移除。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的磁化器,其特征在于,所述殼體中的所述入口和所述出口是所述殼體中的兩個不同的開口,使得所述待磁化的物體經由所述入口進入所述通道并經由所述出口離開所述通道。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的磁化器,其特征在于,所述永磁體組件包括圍繞所述通道的周邊布置的磁體的圓形陣列。
9.根據權利要求8所述的磁化器,其特征在于,所述圓形磁體陣列包括具有非矩形形狀的至少一個永磁體。
10.根據權利要求9所述的磁化器,其特征在于,所述圓形磁體陣列包括至少一個永磁體,所述至少一個永磁體是非平面表面。
11.根據權利要求1至10中任一項所述的磁化器,其特征在于,所述永磁體組件包括被布置為海爾貝克陣列的磁體陣列。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的磁化器,其特征在于,所述永磁體組件被布置成在所述通道的所述均勻部中至少提供兩極磁場。
13.根據權利要求1至12中任一項所述的磁化器,其特征在于,所述永磁體組件被布置成在所述通道的所述均勻部中至少提供四極磁場。
14.一種磁化機構,包括根據權利要求1至13中任一項所述的磁化器及致動器,所述致動器被布置成將所述磁化器從第一位置重復地移動到第二位置,所述第一位置被布置成使得所述通道遠離待磁化的物體定位,并且所述第二位置被布置成使得所述磁化器的所述通道的所述均勻部圍繞所述待磁化的物體布置。
15.根據權利要求14所述的磁化機構,其特征在于,所述致動器被布置成抓持待磁化的物體,將所述物體移動到所述磁化器中的所述通道的所述均勻部中,將所述物體從所述磁化器中的所述通道中移除并釋放所述物體。
16.根據權利要求14或15所述的磁化機構,其特征在于,所述磁化機構包括定心機構,所述定心機構被布置成當待磁化的物體插入所述磁化器中時使所述物體相對于所述磁化器定心,所述定心機構包括能更換的引導元件,所述能更換的引導元件能移除地插入所述磁化器中,所述能更換的引導元件被設計成接觸所述待磁化的物體并將其引導到定心位置中。
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