[發明專利]半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 202080063506.0 | 申請日： | 2020-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN114402419A | 公開（公告）日： | 2022-04-26 |
| 發明（設計）人： | 阿久津高志 | 申請（專利權）人： | 琳得科株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;B23K26/53;B24B7/22;B24B41/06;B28D5/00;B28D7/04;C09J5/00;C09J5/06;C09J7/35;C09J7/38;C09J11/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法，其是使用粘合片的半導體裝置的制造方法，所述粘合片依次具有含有熱膨脹性粒子的粘合劑層(X1)、基材(Y)、及通過照射能量射線而固化從而發生粘合力降低的粘合劑層(X2)，
該方法包括下述工序1～5：
工序1：將加工對象物粘貼于所述粘合片所具有的粘合劑層(X2)、將支撐體粘貼于所述粘合片所具有的粘合劑層(X1)的工序；
工序2：對所述加工對象物實施選自磨削處理及單片化處理中的一種以上加工處理的工序；
工序3：在實施了所述加工處理后的加工對象物的與粘合劑層(X2)相反側的面粘貼熱固性膜的工序；
工序4：對所述粘合片進行加熱而將粘合劑層(X1)和所述支撐體分離的工序；
工序5：對粘合劑層(X2)照射能量射線而將粘合劑層(X2)和所述加工對象物分離的工序。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述加工處理是基于隱形切割法的單片化處理、基于刀片尖端切割法的磨削處理及單片化處理、或基于隱形尖端切割法的磨削處理及單片化處理。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述加工處理是基于隱形尖端切割法的磨削處理及單片化處理。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述熱膨脹性粒子的膨脹起始溫度(t)為50～110℃。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述工序4是將所述粘合片加熱至所述熱膨脹性粒子的膨脹起始溫度(t)以上且120℃以下而將粘合劑層(X1)和所述支撐體分離的工序。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，相對于粘合劑層(X1)的總質量(100質量％)，所述熱膨脹性粒子的含量為1～30質量％。
7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述熱膨脹性粒子在23℃下的平均粒徑(D50)為1～30μm。
8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，基材(Y)在23℃下的儲能模量E’(23)為5.0×107～5.0×109Pa。
9.根據權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述加工對象物為半導體晶片。
10.根據權利要求1～9中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述能量射線為紫外線。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
