[發(fā)明專利]用于利用兩層式微波空腔來動態(tài)控制徑向均勻性的方法和裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080062451.1 | 申請日： | 2020-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN114342039A | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 小林悟;菅井英夫;D·伊萬諾夫;L·斯卡德爾;D·盧博米爾斯基 | 申請（專利權(quán)）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 侯穎媖;張鑫 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 利用 式微 空腔 動態(tài)控制 徑向 均勻 方法 裝置 | ||
1.一種用于產(chǎn)生用于半導體工藝的等離子體的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：
工藝腔室，所述工藝腔室具有至少兩個上部微波空腔，所述至少兩個上部微波空腔通過具有多個輻射狹槽的金屬板與下部微波空腔分離；
至少一個微波輸入端口，所述至少一個微波輸入端口連接到所述至少兩個上部微波空腔中的第一上部微波空腔；
至少兩個微波輸入端口，所述至少兩個微波輸入端口連接到所述至少兩個上部微波空腔中的第二上部微波空腔；以及
所述下部微波空腔從所述至少兩個上部微波空腔中的兩者接收通過所述金屬板中的所述多個輻射狹槽的輻射，所述下部微波空腔被配置為形成電場，所述電場在所述工藝腔室的工藝容積中提供均勻的等離子體分布。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少兩個上部微波空腔中的所述第一上部微波空腔在至少兩個尺寸上是方形空腔。
3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少兩個上部微波空腔中的所述第一上部微波空腔是空氣空腔。
4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進一步包括：
調(diào)諧器，所述調(diào)諧器在所述至少兩個上部微波空腔中的所述第一上部微波空腔上，所述調(diào)諧器被配置為調(diào)整所述至少兩個上部微波空腔中的所述第一上部微波空腔中的微波激發(fā)并充當用于中心高模式的頻率的帶通濾波器。
5.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少兩個上部微波空腔中的所述第一上部微波空腔是同軸空氣空腔。
6.如權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中所述同軸空氣空腔激發(fā)m＝0模式。
7.如權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中所述同軸空氣空腔具有兩個不同的圓形尺寸。
8.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少兩個上部微波空腔中的所述第二上部微波空腔是環(huán)形空腔。
9.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少兩個上部微波空腔中的所述第二上部微波空腔是空氣空腔。
10.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進一步包括：
調(diào)諧器，所述調(diào)諧器在所述至少兩個上部微波空腔中的所述第二上部微波空腔上，所述調(diào)諧器被配置為調(diào)整所述至少兩個上部微波空腔中的所述第二上部微波空腔中的微波激發(fā)并充當用于邊緣高模式的頻率的帶通濾波器。
11.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少兩個上部微波空腔中的所述第一上部微波空腔支持微波激發(fā)的中心高模式，并且所述至少兩個上部微波空腔中的所述第二上部微波空腔支持微波激發(fā)的邊緣高模式。
12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述至少兩個上部微波空腔被配置為在所述下部微波空腔中形成電場，通過調(diào)整所述至少兩個上部微波空腔中的中心高模式與邊緣高模式的功率比，所述電場產(chǎn)生均勻的等離子體。
13.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進一步包括：
至少一個微波監(jiān)測器，所述至少一個微波監(jiān)測器被配置為與所述至少兩個上部微波空腔或所述下部微波空腔中的至少一者相互作用，以對所述至少一個微波監(jiān)測器中的每一者監(jiān)測單個頻率或多個頻率，所述至少一個微波監(jiān)測器被配置為向系統(tǒng)控制器提供反饋以用于調(diào)整微波參數(shù)。
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