[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080062366.5 | 申請日: | 2020-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN114391182A | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳元植;文秀美;趙顯敏 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38;H01L33/42;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 張曉;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
提供了一種顯示裝置。顯示裝置包括:第一連接電極,在第一方向上延伸并且電連接到第一電壓施加到其的第一電力線;第二連接電極,與第一連接電極間隔開并且電連接到第二電壓施加到其的第二電力線;第一電極,從第一連接電極延伸;第二電極,從第二連接電極延伸并且被設置為與第一電極平行且在距第一電極預定距離處;以及多個發(fā)光元件,具有電連接到第一電極的第一端部和電連接到第二電極的第二端部,其中,第一電極和第二電極包括彎曲部分。
技術領域
本公開的各種實施例涉及一種顯示裝置,并且更具體地,涉及一種包括超小型發(fā)光元件的顯示裝置,每個超小型發(fā)光元件具有從納米級到微米級的范圍的小尺寸。
背景技術
最近,已經開發(fā)了使用具有可靠的無機晶體結構的材料制造超小型發(fā)光元件和使用該發(fā)光元件制造發(fā)光裝置的技術。例如,已經開發(fā)了使用具有對應于從納米級尺寸到微米級尺寸的范圍的小尺寸的超小型發(fā)光元件來構造發(fā)光裝置的光源的技術。這樣的發(fā)光裝置可以用于諸如顯示裝置和照明裝置的各種電子裝置中。
為了在照明裝置、顯示器等中使用超小型發(fā)光元件,需要將超小型發(fā)光元件和被構造為向超小型發(fā)光元件施加電力電壓的電極連接。就應用的目的、針對電極的空間的減小或者制造方法而言,對超小型發(fā)光元件與電極之間的設置關系進行了各種研究。
設置超小型發(fā)光元件和電極的方法可以分類為在電極上直接生長超小型發(fā)光元件的方法以及單獨且獨立地生長超小型發(fā)光元件然后將超小型發(fā)光元件設置在電極上的方法。在后一種情況下,如果發(fā)光元件具有正常的尺寸,則能夠使發(fā)光元件垂直地豎立并將發(fā)光元件與電極連接。然而,如果發(fā)光元件是納米級超小型發(fā)光元件,則難以將發(fā)光元件垂直地豎立在電極上。
發(fā)明內容
技術問題
本公開的目的是提供一種其中可以改善超小型發(fā)光元件的對準的顯示裝置。
本公開的另一目的是提供一種具有改善的視角的顯示裝置。
本公開不限于上面描述的目的,并且本領域技術人員將通過以下描述清楚地理解未提及的其它目的。
技術方案
根據本公開的實施例的顯示裝置可以包括:第一連接電極,在第一方向上延伸,并且電連接到第一電源施加到其的第一電力線;第二連接電極,與第一連接電極間隔開,并且電連接到第二電源施加到其的第二電力線;第一電極,從第一連接電極延伸;第二電極,從第二連接電極延伸,并且與第一電極平行地設置且在第二電極與第一電極之間具有預定距離;以及多個發(fā)光元件,均包括電連接到第一電極的第一端部和電連接到第二電極的第二端部。第一電極和第二電極中的每個可以包括彎曲部分。
第一電極和第二電極可以分別從第一連接電極和第二連接電極在與第一方向相交的第二方向上延伸。
彎曲部分可以具有在第一方向上突出的形狀。
第一電極和第二電極中的每個可以具有彎曲形狀或之字形形狀。
第一電極和第二電極中的每個可以具有通過連接多個象限弧而形成的形狀。
第一電極和第二電極中的每個可以具有具備通過連接多個象限弧而形成的形狀的連接部分。拐點包括在連接部分中。
多個發(fā)光元件中的每個可以包括具有從納米級到微米級的范圍的尺寸的棒狀發(fā)光二極管。
多個發(fā)光元件中的至少一些發(fā)光元件可以對準使得其縱向方向與相對于第一電極和第二電極沿其延伸的方向的法線方向對應。
第一電極或第二電極可以包括具有不同的寬度的部分。
顯示裝置可以包括設置在第一電極與第二電極之間而不直接連接到第一連接電極或第二連接電極的至少一個島狀電極。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





