[發(fā)明專利]半導體激光器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080060221.1 | 申請日： | 2020-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN114402493A | 公開（公告）日： | 2022-04-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 中村考宏;黑田隆之助;秋山英文;金昌秀;伊藤隆;中前秀一 | 申請（專利權）人： | 國立研究開發(fā)法人產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343;H01S5/10;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體激光器 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體激光器，具備：
光諧振器，其具有含有n型雜質的第一化合物半導體層、含有p型雜質的第二化合物半導體層以及設置于所述第一化合物半導體層與所述第二化合物半導體層之間的發(fā)光層；以及
脈沖注入單元，其以亞納秒的時寬對所述光諧振器注入激勵能量，
其中，所述發(fā)光層具有5個周期以上的多量子阱結構，
所述半導體激光器以比所述光諧振器的光子壽命的2.5倍短的脈寬產(chǎn)生光脈沖。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，
以比所述光諧振器的光子壽命短的脈寬產(chǎn)生光脈沖。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體激光器，其特征在于，
所述發(fā)光層具有10個周期以上的多量子阱結構。
4.根據(jù)權利要求1～3中的任一項所述的半導體激光器，其特征在于，
所述光諧振器還具有沿著振蕩方向被分離為增益區(qū)和吸收區(qū)的多段式結構。
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體激光器，其特征在于，
還具備對所述吸收區(qū)施加反偏置電壓的單元。
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