[發(fā)明專利]襯底處理系統(tǒng)的可移動(dòng)邊緣環(huán)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080057245.1
• 申請(qǐng)日: 2020-08-07
• 公開（公告）號(hào): CN114223054A
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅希妮·米什拉;薩拉瓦納普里亞·西里拉曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;張華

一種襯底支撐件包含：外邊緣環(huán)，其被配置成用于通過一或多個(gè)升降銷相對(duì)于所述襯底支撐件升高和降低。所述外邊緣環(huán)進(jìn)一步被配置成與引導(dǎo)特征部接合，所述引導(dǎo)特征部從所述襯底支撐件的中間環(huán)向上延伸。內(nèi)邊緣環(huán)位于所述外邊緣環(huán)的徑向內(nèi)側(cè)，并且獨(dú)立于所述外邊緣環(huán)通過一或多個(gè)升降銷相對(duì)于所述襯底支撐件升高和降低。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2019年8月14日申請(qǐng)的美國專利臨時(shí)申請(qǐng)No.62/886,692的優(yōu)先權(quán)。上述引用的申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容都通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容涉及襯底處理系統(tǒng)中的可移動(dòng)邊緣環(huán)。

背景技術(shù)

這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開的背景的目的。當(dāng)前指定的發(fā)明人的工作在其在此背景技術(shù)部分以及在提交申請(qǐng)時(shí)不能確定為現(xiàn)有技術(shù)的說明書的各方面中描述的范圍內(nèi)既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對(duì)本公開的現(xiàn)有技術(shù)。

襯底處理系統(tǒng)可用于處理諸如半導(dǎo)體晶片之類的襯底。可以在襯底上執(zhí)行的示例性處理包括但不限于化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、導(dǎo)體蝕刻和/或其他蝕刻、沉積或清潔處理。襯底可以布置在襯底處理系統(tǒng)的處理室中的襯底支撐件上，襯底支撐件例如基座、靜電卡盤(ESC)等。在蝕刻期間，可以將包括一種或多種前體的氣體混合物引入處理室，并且可以使用等離子體來引發(fā)化學(xué)反應(yīng)。

襯底支撐件可以包含被布置成用于支撐晶片的陶瓷層。例如，晶片可以在處理期間被夾持至該陶瓷層上。襯底支撐件可以包含布置在襯底支撐件的外部部分(例如圓周外以及/或鄰接于圓周)周圍的邊緣環(huán)。可提供邊緣環(huán)而將等離子體限制在襯底上方的體積內(nèi)、保護(hù)襯底支撐件不經(jīng)受等離子體引起的腐蝕等。

發(fā)明內(nèi)容

一種襯底支撐件包含：外邊緣環(huán)，其被配置成用于通過一或多個(gè)升降銷相對(duì)于所述襯底支撐件升高和降低。所述外邊緣環(huán)進(jìn)一步被配置成與引導(dǎo)特征部接合，所述引導(dǎo)特征部從所述襯底支撐件的中間環(huán)向上延伸。內(nèi)邊緣環(huán)位于所述外邊緣環(huán)的徑向內(nèi)側(cè)，并且獨(dú)立于所述外邊緣環(huán)通過一或多個(gè)升降銷相對(duì)于所述襯底支撐件升高和降低。

在其他特征中，所述襯底支撐件包含位于所述內(nèi)邊緣環(huán)的徑向內(nèi)側(cè)的固定內(nèi)環(huán)。所述襯底支撐件包含含有所述引導(dǎo)特征部的所述中間環(huán)。所述引導(dǎo)特征部對(duì)應(yīng)于升高的環(huán)形邊沿。所述外邊緣環(huán)包含被布置成接收所述升高的環(huán)形邊沿的環(huán)形溝槽。一種系統(tǒng)包含所述襯底支撐件，且還包含控制器，所述控制器被配置成調(diào)整所述外邊緣環(huán)的位置，以調(diào)整等離子體鞘的拐點(diǎn)，所述拐點(diǎn)確定所述等離子體鞘的可調(diào)徑向范圍，以及調(diào)整所述內(nèi)邊緣環(huán)的位置，以在所述可調(diào)徑向范圍內(nèi)調(diào)整所述等離子體鞘。

一種襯底支撐件包含：內(nèi)邊緣環(huán)；外邊緣環(huán)，其位于所述內(nèi)邊緣環(huán)的徑向外側(cè)；以及底部環(huán)。所述外邊緣環(huán)被布置在所述底部環(huán)上，所述底部環(huán)被配置成通過一或多個(gè)升降銷相對(duì)于所述襯底支撐件升高和降低，且升高和降低所述底部環(huán)相應(yīng)地使所述外邊緣環(huán)相對(duì)于所述襯底支撐件升高和降低。

在其他特征中，所述襯底支撐件還包含位于所述外邊緣環(huán)的徑向內(nèi)側(cè)的固定內(nèi)邊緣環(huán)。所述襯底支撐件包含隔離環(huán)，所述底部環(huán)被布置于所述隔離環(huán)上，且所述隔離環(huán)包含被布置成接收所述一或多個(gè)升降銷的通孔。所述一或多個(gè)升降銷在所述襯底支撐件的基板徑向向外處穿過所述通孔。一種系統(tǒng)包含所述襯底支撐件，且還包含控制器，該控制器被配置成調(diào)整所述外邊緣環(huán)的位置以調(diào)整等離子體鞘。

一種襯底支撐件包含外邊緣環(huán)，其被配置成通過一或多個(gè)升降銷相對(duì)于所述襯底支撐件升高和降低，并且還被配置成與引導(dǎo)特征部接合，所述引導(dǎo)特征部從所述襯底支撐件的中間環(huán)向上延伸；內(nèi)邊緣環(huán)，其位于所述外邊緣環(huán)的徑向內(nèi)側(cè)；以及底部環(huán)，其包含階梯狀外部部分。所述外邊緣環(huán)被布置在所述底部環(huán)的所述階梯狀外部部分上，并且所述階梯狀外部部分包含被布置成接收所述一或多個(gè)升降銷的通孔。