[發明專利]大晶粒錫濺射靶

在審

• 申請號: 202080054251.1
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN114207179A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 馬克·D·魯杰羅;斯蒂芬·費拉澤;弗蘭克·C·奧爾福德;蘇珊·D·斯特羅瑟;帕特里克·K·安德伍德
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22F1/16
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張海明;黃健

1.一種平面濺射靶，包括：

平面濺射表面；和，

后表面，所述后表面與所述平面濺射表面相背對；

其中所述平面濺射靶由平均晶粒尺寸為至少10mm到至多100mm的2N純度錫形成。

2.根據權利要求1所述的平面濺射靶，其中所述錫是雜質含量為至多15ppm的高純度錫。

3.根據權利要求1所述的平面濺射靶，其中所述錫是α計數小于0.01cph/cm²的高純度錫。

4.一種制造根據權利要求1所述的平面濺射靶的方法，所述方法由以下步驟組成：

澆鑄至少2N純度的熔融錫；

熱機械加工所澆鑄的錫以形成經熱機械加工的錫；以及

在至少175℃到至多225℃的溫度下熱處理所述經熱機械加工的錫至少2小時到至多48小時，以形成平均晶粒尺寸為至少10mm到至多100mm的平面濺射靶。

5.根據權利要求4所述的方法，其中澆鑄熔融錫的所述步驟包括使約235℃至約350℃的坩堝溫度持續約一小時，之后將所述熔融錫澆注到模具中以形成近終形澆鑄件。

6.根據權利要求5所述的方法，其中將所述模具預熱到約250℃至約375℃的溫度約30分鐘。

7.根據權利要求5所述的方法，其中將所述熔融錫澆注到所述模具中的所述步驟之后以250℃/小時或更小的速率緩慢冷卻。

8.根據權利要求5所述的方法，其中熱處理所述經熱機械加工的錫的所述步驟在約200℃的溫度下持續約4小時。

9.根據權利要求4所述的方法，其中澆鑄熔融錫的所述步驟形成坯料，之后將所述坯料進行切片以形成多個坯件。

10.根據權利要求9所述的方法，其中熱機械加工所述坯料的所述步驟包括通過以至少50％的橫軋壓縮來單獨熱機械加工所述多個坯件。