[發(fā)明專利]接合裝置和接合方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080051936.0 | 申請日: | 2020-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN114127907A | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 大森陽介;菅川賢治 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/48;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 裝置 方法 | ||
實施方式所涉及的接合裝置(41)具備保持部(111、211)、變形部(114、213)以及控制部(70a)。保持部(111、211)保持要被接合的基板(W1、W2)。變形部(114、213)使被保持于保持部(111、211)的基板(W1、W2)的中央部相對于基板(W1、W2)的外周部突出。控制部(70a)基于基板(W1、W2)的厚度、基板(W1、W2)的溫度以及未被保持于保持部(111、211)的狀態(tài)下的基板(W1、W2)的翹曲中的至少一方,針對每個基板(W1、W2)調(diào)整通過變形部(114、213)使基板(W1、W2)突出的突出量。
技術領域
本公開涉及一種接合裝置和接合方法。
背景技術
在專利文獻1中公開了一種將基板彼此接合的接合裝置。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2017-5219號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
本公開提供一種使基板的接合精度提高的技術。
用于解決問題的方案
本公開的一個方式的接合裝置具備保持部、變形部、以及控制部。保持部保持要被接合的基板。變形部使被保持于保持部的基板的中央部相對于基板的外周部突出。控制部基于基板的厚度、基板的溫度以及未被保持于保持部的狀態(tài)下的基板的翹曲中的至少一方,針對每個基板調(diào)整通過變形部使基板突出的突出量。
發(fā)明的效果
根據(jù)本公開,能夠使基板的接合精度提高。
附圖說明
圖1是表示實施方式所涉及的接合系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖(其1)。
圖2是表示實施方式所涉及的接合系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意圖(其2)。
圖3是實施方式所涉及的傳送部的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4是表示實施方式所涉及的接合裝置的局部結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5是表示實施方式所涉及的第一吸盤部和第二吸盤部的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6是表示實施方式所涉及的第二基板彎曲了的狀態(tài)的示意圖。
圖7是說明實施方式所涉及的接合處理的流程圖。
圖8是表示在實施方式所涉及的接合處理中使第一基板和第二基板彎曲了的狀態(tài)的圖。
具體實施方式
下面,參照附圖來詳細地說明本申請公開的接合裝置和接合方法的實施方式。此外,并不通過以下所示的實施方式來限定所公開的接合裝置和接合方法。
在以下參照的各附圖中,為了使說明易于理解,有時示出規(guī)定彼此正交的X軸方向、Y軸方向和Z軸方向并將Z軸正方向設為鉛垂向上方向的正交坐標系。X軸方向和Y軸方向為水平方向。下面,有時將Z軸正方向設為上方、將Z軸負方向設為下方來進行說明。
接合系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)
參照圖1和圖2來說明實施方式所涉及的接合系統(tǒng)1。圖1是表示實施方式所涉及的接合系統(tǒng)1的結(jié)構(gòu)的示意圖(其1)。圖2是表示實施方式所涉及的接合系統(tǒng)1的結(jié)構(gòu)的示意圖(其2)。
接合系統(tǒng)1通過將第一基板W1和第二基板W2接合來形成重合基板T。
第一基板W1和第二基板W2例如為在硅晶圓、化合物半導體晶圓等半導體基板形成有多個電子電路的基板。第一基板W1和第二基板W2為圓形,直徑大致相同。此外,第一基板W1和第二基板W2中的一方例如可以為未形成電子電路的基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





