[發明專利]固態圖像傳感器在審
| 申請號: | 202080051923.3 | 申請日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN114127941A | 公開(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發明(設計)人: | 齋藤槙子;池戶秀樹 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京魏啟學律師事務所 11398 | 代理人: | 魏啟學 |
| 地址: | 日本東京都大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 圖像傳感器 | ||
1.一種固態圖像傳感器,包括:
第一區域,其包括多個像素和像素分離部件,所述多個像素各自包括光電轉換元件并接收來自被攝體的光,所述像素分離部件用于攔截所述多個像素之間的光并為各個像素遮光;
第二區域,其設置在所述第一區域外部;以及
遮光部件,其設置在所述第一區域與所述第二區域之間的至少部分區域中,并且防止來自所述第一區域和所述第二區域中的一者的光入射到所述第一區域和所述第二區域中的另一者,
所述固態圖像傳感器的特征在于,所述遮光部件以在設置有所述光電轉換元件的半導體基板的深度方向上延伸的狀態下設置在所述半導體基板中,并且所述遮光部件被形成為在構造上與所述像素分離部件不同。
2.根據權利要求1所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述第二區域包括遮光像素,所述遮光像素被遮光以使得來自被攝體的光不會入射到所述遮光像素。
3.根據權利要求1所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述第一區域還包括遮光像素,并且所述第二區域包括不構成所述像素的電路元件,所述遮光像素被遮光以使得來自被攝體的光不會入射到所述遮光像素。
4.根據權利要求3所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述遮光部件防止由所述電路元件產生的光入射到所述第一區域。
5.根據權利要求3或4所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述第二區域包括信號處理部件、控制部件和電源部件中的至少一者作為所述電路元件,所述信號處理部件用于處理來自所述像素的信號,所述控制部件用于向像素或所述信號處理部件供給控制信號,所述電源部件向所述像素、所述信號處理部件或所述控制部件供電。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述遮光部件在所述半導體基板的深度方向上延伸的深度不同于所述像素分離部件在所述半導體基板的深度方向上延伸的深度。
7.根據權利要求6所述的固態圖像傳感器,其特征在于,與所述像素分離部件在所述半導體基板的深度方向上延伸的深度相比,所述遮光部件在所述半導體基板的深度方向上延伸的深度更深。
8.根據權利要求1至5中的任一項所述的固態圖像傳感器,其特征在于,用于形成所述遮光部件的材料不同于用于形成所述像素分離部件的材料。
9.根據權利要求8所述的固態圖像傳感器,其特征在于,用于形成所述遮光部件的材料的透射率比用于形成所述像素分離部件的材料的透射率低。
10.根據權利要求1至5中的任一項所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述遮光部件在所述半導體基板的平面方向上的寬度不同于所述像素分離部件在所述半導體基板的平面方向上的寬度。
11.根據權利要求10所述的固態圖像傳感器,其特征在于,與所述像素分離部件在所述半導體基板的平面方向上延伸的寬度相比,所述遮光部件在所述半導體基板的平面方向上的寬度更寬。
12.根據權利要求1至5中的任一項所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述遮光部件被設置的數量不同于所述像素分離部件被設置的數量。
13.根據權利要求12所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述遮光部件被設置的數量比所述像素分離部件被設置的數量多。
14.根據權利要求1至13中的任一項所述的固態圖像傳感器,其特征在于,與所述遮光部件相鄰的像素不包括所述光電轉換元件。
15.根據權利要求1至14中的任一項所述的固態圖像傳感器,其特征在于,所述半導體基板包括布置有用于發送來自所述像素的信號的配線的配線層,并且來自被攝體的光從相對于包括所述配線層的表面的相反側的表面入射到所述像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





