[發(fā)明專利]薄膜、層疊體、帶薄膜層的半導(dǎo)體晶圓、帶薄膜層的半導(dǎo)體搭載用基板和半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080047344.1
• 申請日: 2020-06-26
• 公開（公告）號: CN114026682A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岡庭正志;東口鉱平;關(guān)戶隆人;高野健太郎;木田剛
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L23/24
• 分類號: H01L23/24;C08J5/18;C08L79/08;C08K5/14
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種薄膜，其包含：

含有選自由馬來酰亞胺化合物和檸康酰亞胺化合物組成的組中的至少1種的化合物(A)；

含有選自由下述式(1)和下述式(2)所示的有機(jī)過氧化物組成的組中的至少1種的有機(jī)過氧化物(B)；和，

氫過氧化物(C)，

式(1)中，R¹各自獨(dú)立地表示氫原子、甲基、或乙基，

式(2)中，R²各自獨(dú)立地表示氫原子、甲基、或乙基，X¹表示下述式(3)或(4)所示的基團(tuán)，

式(3)中，R³表示氫原子、甲基、或乙基，R⁴表示碳數(shù)1以上且3以下的亞烷基，R⁵表示氫原子或碳數(shù)1以上且6以下的烷基，

式(4)中，R⁶各自獨(dú)立地表示氫原子、甲基、或乙基，X²表示下述通式(a)～(c)所示的基團(tuán)，

式(c)中，n¹表示1以上且5以下的整數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜，其中，所述化合物(A)含有：選自由2,2’-雙{4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基}丙烷、1,2-雙(馬來酰亞胺)乙烷、1,4-雙(馬來酰亞胺)丁烷、1,6-雙(馬來酰亞胺)己烷、N,N’-1,3-亞苯基二馬來酰亞胺、N,N’-1,4-亞苯基二馬來酰亞胺、N-苯基馬來酰亞胺、下述式(5)所示的馬來酰亞胺化合物、下述式(6)所示的馬來酰亞胺化合物、下述式(7)所示的馬來酰亞胺化合物、下述式(8)所示的馬來酰亞胺化合物、和含有下述式(9)所示的結(jié)構(gòu)單元和位于兩末端的馬來酰亞胺基的雙馬來酰亞胺化合物組成的組中的至少1種，

式(5)中，R⁷各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基，n²表示1以上的整數(shù)，

式(6)中，n³表示1以上且30以下的整數(shù)，

式(7)中，R⁸各自獨(dú)立地表示氫原子、甲基、或乙基，R⁹各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基，

式(8)中，R¹⁰各自獨(dú)立地表示氫原子、碳數(shù)1～5的烷基、或苯基，n⁴表示1以上且10以下的整數(shù)，

式(9)中，R¹¹表示碳數(shù)1以上且16以下的直鏈狀或支鏈狀的亞烷基、或碳數(shù)2以上且16以下的直鏈狀或支鏈狀的亞烯基，R¹²表示碳數(shù)1以上且16以下的直鏈狀或支鏈狀的亞烷基、或碳數(shù)2以上且16以下的直鏈狀或支鏈狀的亞烯基，R¹³各自獨(dú)立地表示氫原子、碳數(shù)1以上且16以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基、或碳數(shù)2以上且16以下的直鏈狀或支鏈狀的烯基，n⁵表示1以上且10以下的整數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜，其中，所述化合物(A)含有：選自由2,2’-雙{4-(4-馬來酰亞胺苯氧基)苯基}丙烷、所述式(5)所示的馬來酰亞胺化合物、所述式(6)所示的馬來酰亞胺化合物、所述式(7)所示的馬來酰亞胺化合物、所述式(8)所示的馬來酰亞胺化合物、和含有所述式(9)所示的結(jié)構(gòu)單元和位于兩末端的馬來酰亞胺基的雙馬來酰亞胺化合物組成的組中的至少1種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的薄膜，其中，所述氫過氧化物(C)含有選自由下述式(10)所示的氫過氧化物、下述式(11)所示的氫過氧化物、和下述式(12)所示的氫過氧化物組成的組中的至少一種，

式(10)中，R¹⁴各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基，R¹⁵表示氫原子、甲基、異丙基、或叔丁基，

式(11)中，R¹⁶各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基，R¹⁷表示氫原子、甲基、異丙基、或叔丁基，

式(12)中，R¹⁸各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基，R¹⁹各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基，R²⁰各自獨(dú)立地表示氫原子或甲基。