[發(fā)明專利]以高能量低劑量等離子體后處理氮化硅基的介電膜的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080041799.2
• 申請(qǐng)日: 2020-06-03
• 公開（公告）號(hào): CN114127898A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫顒;J·C·李;P·P·杰哈;梁璟梅;S·S·奧哈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/3105
• 分類號(hào): H01L21/3105
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 史起源;侯穎媖

1.一種對(duì)在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介電膜進(jìn)行后處理的方法，包括：

將基板定位在處理腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的氮化硅(SiN)基的介電膜；以及

使所述氮化硅(SiN)基的介電膜在所述處理腔室中暴露于含氦高能量低劑量的等離子體，其中

所述含氦高能量低劑量等離子體中的多個(gè)氦離子的能量在1eV與3.01eV之間，并且

所述含氦高能量低劑量等離子體中的所述氦離子的通量密度在5×10¹⁵個(gè)離子/cm²·秒與1.37×10¹⁶個(gè)離子/cm²·秒之間。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氮化硅(SiN)基的介電膜包括S-H鍵。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氮化硅(SiN)基的介電膜包括N-H鍵。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述氮化硅(SiN)基的介電膜暴露于所述含氦高能量低劑量等離子體期間，所述基板處于在10℃與200℃之間的溫度下。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述氮化硅(SiN)基的介電膜暴露于所述高密度等離子體期間，所述基板處于在15毫托與300毫托之間的壓力下。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板由選自金屬、半導(dǎo)體和塑料所組成的群組的材料所制成。

7.一種對(duì)在基板的表面上形成的硅基膜進(jìn)行后處理的方法，包括：

將基板定位在處理腔室中，所述基板具有形成在所述基板上的硅基膜；以及

使所述硅基膜在所述處理腔室中暴露于含氦高能量低劑量的等離子體，其中

所述含氦高能量低劑量等離子體中的多個(gè)氦離子的能量在1eV與3.01eV之間，并且

所述含氦高能量低劑量等離子體中的所述氦離子的通量密度在5×10¹⁵個(gè)離子/cm²·秒與1.37×10¹⁶個(gè)離子/cm²·秒之間。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述硅基膜包括氮化硅(SiN)。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述硅基膜包括S-H鍵。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述硅基膜包括N-H鍵。

11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中在所述硅基膜暴露于所述含氦高能量低劑量等離子體期間，所述基板處于在10℃與200℃之間的溫度下。

12.如權(quán)利要求7所述的方法，其中在所述硅基膜暴露于所述高密度等離子體期間，所述基板處于在15毫托與300毫托之間的壓力下。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板由選自金屬、半導(dǎo)體和塑料所組成的群組的材料所制成。

14.一種在基板的表面上形成和后處理氮化硅(SiN)基的介電膜的方法，所述方法包括：

將介電前驅(qū)物傳送到設(shè)置在第腔室的處理區(qū)域中的基板上，所述介電前驅(qū)物包括硅和氮；

在所述第一腔室的所述處理區(qū)域中提供自由基通量；以及

在第二腔室中將輸送的所述介電前驅(qū)物暴露于含氦的高能量低劑量等離子體，其中

所述含氦高能量低劑量等離子體中的多個(gè)氦離子的能量在1eV與3.01eV之間，并且

所述含氦高能量低劑量等離子體中的所述氦離子的通量密度在5×10¹⁵個(gè)離子/cm²·秒與1.37×10¹⁶個(gè)離子/cm²·秒之間。