[發明專利]用于處理MEMS晶圓的工藝

有效

• 申請號: 202080040917.8
• 申請日: 2020-05-11
• 公開（公告）號: CN113905891B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 尼古拉斯·阿納爾;特洛伊·帕西奧拉·奎波;安格斯·諾斯
• 申請（專利權）人: 馬姆杰特科技有限公司
• 主分類號: B41J2/16
• 分類號: B41J2/16
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張華卿;楊明釗

1.一種用于處理MEMS晶圓的方法，包括以下步驟：

(i)將第一載體襯底附接到MEMS晶圓的第一側，所述第一載體襯底通過無硅剝離帶和第一晶圓鍵合帶進行附接，所述剝離帶接觸所述MEMS晶圓的第一側；

(ii)對所述MEMS晶圓的與所述第一側相反的第二側執行一個或多個晶圓處理步驟；

(iii)通過暴露于能量源從所述MEMS晶圓的第一側釋放所述第一載體襯底，所述能量源從所述剝離帶選擇性地釋放所述第一晶圓鍵合帶；以及

(iv)將所述剝離帶從所述MEMS晶圓的第一側剝離。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述MEMS晶圓包括MEMS噴墨裝置。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述MEMS晶圓的第一側具有多個噴墨噴嘴。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一載體襯底由玻璃組成。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一晶圓鍵合帶包括硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一晶圓鍵合帶是UV離型帶，并且所述能量源是UV線。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一晶圓鍵合帶是熱離型帶，并且所述能量源是熱。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述晶圓處理步驟選自由以下組成的組：晶圓研磨、蝕刻和氧化灰化。

9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在步驟(iii)之前將第二載體襯底附接到所述MEMS晶圓的第二側的步驟。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述第二載體襯底經由不同于所述第一晶圓鍵合帶的第二晶圓鍵合帶附接。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第一晶圓鍵合帶和所述第二晶圓鍵合帶選自由以下組成的組：UV離型帶和熱離型帶。

12.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在步驟(iv)之后將所述MEMS晶圓的第一側氧化灰化的步驟。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述剝離帶剝離的步驟(iv)同時去除了附接到所述剝離帶的所述第一晶圓鍵合帶。

14.一種用于MEMS制造工藝的晶圓組件，所述晶圓組件包括：

MEMS晶圓，所述MEMS晶圓具有第一側和與所述第一側相反的第二側；

無硅剝離帶，所述剝離帶可釋放地附接到所述MEMS晶圓的第一側；

第一晶圓鍵合帶，所述第一晶圓鍵合帶附接到所述剝離帶；以及

第一載體襯底，所述第一載體襯底可釋放地附接到所述第一晶圓鍵合帶。

15.根據權利要求14所述的晶圓組件，其中，所述第一晶圓鍵合帶含有硅。

16.根據權利要求14所述的晶圓組件，其中，所述MEMS晶圓包括MEMS噴墨裝置。

17.根據權利要求14所述的晶圓組件，其中，所述MEMS晶圓的第一側具有多個噴墨噴嘴。

18.根據權利要求14所述的晶圓組件，進一步包括：

第二晶圓鍵合帶，所述第二晶圓鍵合帶附接到所述MEMS晶圓的第二側；以及

第二載體襯底，所述第二載體襯底可釋放地附接到所述第二晶圓鍵合帶。

19.根據權利要求18所述的晶圓組件，其中，所述第二晶圓鍵合帶不同于所述第一晶圓鍵合帶。

20.根據權利要求18所述的晶圓組件，其中，所述第一晶圓鍵合帶和所述第二晶圓鍵合帶選自由以下組成的組：UV離型帶和熱離型帶。