[發明專利]成像設備、用于設計電路板裝置的方法和電路板裝置

在審

• 申請號: 202080039730.6
• 申請日: 2020-06-05
• 公開（公告）號: CN113875319A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: A·伯內金;T·格里布
• 申請（專利權）人: 布魯克碧奧斯平MRI有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/10
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉婧

1.成像設備，包括：

a.在徑向上圍繞樣品空間設置的磁體裝置，所述磁體裝置用于產生在所述磁體裝置運行期間變化的磁場B，所述磁場具有在z方向上的磁場分量，

b.在徑向上設置在所述磁體裝置之內的電路板裝置(6；14)，所述電路板裝置具有導電的導體電路(7；12)，所述導體電路被劃分為多個導體電路區段(10)，其中，至少兩個相互鄰接的導體電路區段(10)形成一個結構區段(11a、11b；12a、12b)，該結構區段跨占一個表面(A1、A2)，

其特征在于，

對于每個導體電路(7；12)，每兩個結構區段(11a、11b)形成一個結構區段對(11)，所述導體電路(7；12)設置在所述電路板裝置(6；14)上，使得通過改變所述磁體裝置的磁場B在每個結構區段對(11)的這兩個結構區段(11a、11b)中感應出對稱相反的電壓和/或電流。

2.根據權利要求1所述的成像設備，其特征在于，在每個結構區段(11a、11b)中，至少兩個導體電路區段(10)關于z方向傾斜地定向，并且所述導體電路(6；14)與z軸線圍成的角度的符號在所述導體電路(6；14)的走向上至少改變一次。

3.根據上述權利要求中任一項所述的成像設備，其特征在于，結構區段對(11)的各結構區段(11a、11b)共同具有至少一個導體電路區段(10)。

4.根據上述權利要求中任一項所述的成像設備，其特征在于，所述導體電路(6；14)鋸齒狀地在所述電路板裝置(6；14)上延伸。

5.根據上述權利要求中任一項所述的成像設備，其特征在于，結構區段(11a、11b)的導體電路區段(10)關于所述z方向成30°至60°、優選為±45°的角度地定向。

6.根據上述權利要求中任一項所述的成像設備，其特征在于，由一個結構區段對(11)的結構區段(11a、11b)跨占的各表面(A1、A2)具有相同的形狀和相同的面積。

7.根據上述權利要求中任一項所述的成像設備，其特征在于，所述導電的導體電路(7；12)涉及用于傳輸電信號的信號導線(7)和/或用于電壓供給的面狀的供電導體電路(12)。

8.根據上述權利要求中任一項所述的成像設備，其特征在于，所述電路板裝置(14)是多層的，并且所述導體電路區段(10)至少部分地在多個電路板層(14a、14b)上延伸。

9.根據權利要求8所述的成像設備，其特征在于，至少在所述電路板層中的一個電路板層(14b)上不僅設置有用于電壓供給的面狀的供電導體電路(12)而且設置有至少一個信號導線(7)。

10.根據上述權利要求中任一項所述的成像設備，其特征在于，所述磁體裝置是MRI或MPI成像設備的梯度系統(2)。

11.根據上述權利要求中任一項所述的成像設備，其特征在于，所述電路板裝置(6；14)包括發射斷層攝像電子器件、尤其是PET或SPECT電子器件。

12.用于設計電路板裝置(6；14)的方法，所述電路板裝置用于根據上述權利要求中任一項所述的成像設備中，所述電路板裝置(6；14)包括導電的導體電路(7；12)，所述導體電路被劃分為多個導體電路區段(10)，其中，至少兩個相互鄰接的導體電路區段(10)形成一個結構區段(11a、11b)，該結構區段跨占一個表面(A1、A2)，

其特征在于，

選擇在所述電路板裝置(6；14)上的導體電路(7；12)的幾何走向，使得每個導體電路(7；12)具有分別包括兩個結構區段(11a、11b)的結構區段對(11)，通過改變所述磁體裝置的磁場B在所述兩個結構區段中感應出對稱相反的電壓和電流。