[發明專利]電流檢測裝置在審
| 申請號: | 202080037882.2 | 申請日: | 2020-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN113853522A | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發明(設計)人: | 笹沼宣之;加藤剛 | 申請(專利權)人: | 日立安斯泰莫株式會社 |
| 主分類號: | G01R1/18 | 分類號: | G01R1/18;G01R15/20;G01R19/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹;宋俊寅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電流 檢測 裝置 | ||
本發明的電流檢測裝置的磁屏蔽部(3u、3v)中形成有彎曲部(30u、30v),使得在形成開口部(5u)的端部(6u)附近,隨著接近端部(6u),開口部(5u)的開口面積逐漸變大。當著眼于U相和其相鄰相V相時,由于在V相導體(Bv)中流過的電流的影響,磁場(Bvu)從V相向U相輸入到磁屏蔽部(3u),但磁場(Bvu)被彎曲部(30u、30v)所引導,并集中到磁屏蔽部(3u)的開口部(5u)的端部(6u)。即,由于彎曲部(30u、30v)之間的空隙較窄,因此局部磁阻變小,磁通能集中在彎曲部(30u、30v),并且能減少流入磁屏蔽部(3u)內部的磁通。因此,磁檢測元件(2u)不容易受到來自相鄰相的磁場的影響。
技術領域
本發明涉及電流檢測裝置。
背景技術
存在一種電流檢測裝置,該電流檢測裝置設置在導體附近,檢測根據流過導體的電流產生的磁場,并檢測流過導體的電流量。電流檢測裝置例如分別設置在從用于將直流轉換為三相交流的逆變器導出的三相導體的附近。
專利文獻1公開了一種電流傳感器,其包括:流過電流的導電部;檢測部,用于檢測由流過導電部的電流產生的磁場;以及包圍導電部和檢測部的屏蔽件。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2017-181415號公報
發明內容
發明所要解決的技術問題
專利文獻1中記載的技術存在著受到流過相鄰導體的電流的影響從而電流檢測精度變差的問題。
解決技術問題所采用的技術方案
本發明的電流檢測裝置包括:第一電流檢測元件;第二電流檢測元件;第一屏蔽部,該第一屏蔽部形成用于收納第一導體的一部分和所述第一電流檢測元件的第一收納空間,并且形成使所述第一收納空間和外部連通的第一開口部;以及第二屏蔽部,該第二屏蔽部與所述第一屏蔽部相鄰,形成用于收納第二導體的一部分和所述第二電流檢測元件的第二收納空間,并且形成使所述第二收納空間和外部連通的第二開口部,所述第一屏蔽部形成為在形成所述第一開口部的端部附近,隨著接近所述端部,所述第一開口部的開口面積逐漸變大,所述第二屏蔽部形成為在形成所述第二開口部的端部附近,隨著接近所述端部,所述第二開口部的開口面積逐漸變大。
發明效果
根據本發明,通過抑制流過相鄰導體的電流的影響,能減小電流檢測精度變差。
附圖說明
圖1是電流檢測裝置的立體圖。
圖2是電流檢測裝置的剖視圖。
圖3的(A)(B)是表示不同形狀的磁屏蔽部對來自外部的磁場的影響的圖。
圖4的(A)(B)是表示不同形狀的磁屏蔽部對來自相鄰相的磁場的影響的圖。
具體實施方式
圖1是本實施方式的電流檢測裝置100的立體圖。
在本實施方式中,電流檢測裝置100以非接觸方式檢測在U相、V相、W相導體Bu、Bv和Bw中沿著圖示的三個正交方向(X軸、Y軸和Z軸方向)中的Z軸方向流過的電流的值。
電流檢測裝置100在圖示的三個正交方向(X軸、Y軸和Z軸方向)中的X軸方向上并排地設置U相電流檢測裝置100u、V相電流檢測裝置100v和W相電流檢測裝置100w而構成。
電流檢測裝置100u以非接觸方式檢測在U相導體Bu中流過的電流的值。電流檢測裝置100v以非接觸方式檢測在V相導體Bv中流過的電流的值。電流檢測裝置100w以非接觸方式檢測在W相導體Bw中流過的電流的值。
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