[發明專利]光接收元件和電子設備

在審

• 申請號: 202080037861.0
• 申請日: 2020-07-29
• 公開（公告）號: CN113853686A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: 村上博亮
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/107
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

1.一種雪崩光電二極管，其包括：

基板，所述基板包括具有第一表面的第一側和具有與所述第一表面相反的第二表面的第二側，所述第二表面是所述基板的光入射面；

陽極區域，所述陽極區域在所述基板中設置在所述基板的所述第一側；

陽極電極，所述陽極電極連接到所述陽極區域；

陰極區域，所述陰極區域在所述基板中設置在所述基板的所述第一側；

陰極電極，所述陰極電極連接到所述陰極區域；和

絕緣層，所述絕緣層在所述基板中設置在所述基板的所述第一側，其中，所述陽極電極或所述陰極電極穿過所述絕緣層。

2.根據權利要求1所述的雪崩光電二極管，其中，在平面圖中，所述陰極電極被設置成比所述陽極電極更靠近所述雪崩光電二極管的中心。

3.根據權利要求2所述的雪崩光電二極管，其中，在平面圖中，所述陰極電極包圍所述雪崩光電二極管的中心。

4.根據權利要求3所述的雪崩光電二極管，其中，在平面圖中，所述陰極電極與所述雪崩光電二極管的中心間隔開，并包圍所述雪崩光電二極管的中心。

5.根據權利要求4所述的雪崩光電二極管，其中，在平面圖中，所述陰極電極是連續的。

6.根據權利要求5所述的雪崩光電二極管，其中，所述陰極電極的所有側面與所述雪崩光電二極管的中心間隔相同的距離。

7.根據權利要求3所述的雪崩光電二極管，其中，在平面圖中，所述陰極電極包括通過所述絕緣層彼此間隔開的多個陰極部分。

8.根據權利要求7所述的雪崩光電二極管，其中，各陰極部分與所述雪崩光電二極管的中心間隔相同的距離。

9.根據權利要求3所述的雪崩光電二極管，其中，在平面圖中，所述絕緣層在所述陰極電極的兩側之間延伸。

10.根據權利要求1所述的雪崩光電二極管，其中，所述絕緣層的表面與所述基板的所述第一表面共面。

11.根據權利要求10所述的雪崩光電二極管，其中，所述絕緣層在所述基板中比所述陽極接觸區域延伸得更深。

12.根據權利要求3所述的雪崩光電二極管，還包括：

摻雜區域，所述摻雜區域在所述絕緣層的兩側之間延伸。

13.根據權利要求12所述的雪崩光電二極管，還包括：

接觸電極，所述接觸電極連接到所述摻雜區域，并且連接到接收電位的節點。

14.根據權利要求13所述的雪崩光電二極管，其中，所述電位是地電位。

15.一種光檢測裝置，其包括：

第一基板，所述第一基板包括具有第一表面的第一側和具有與所述第一表面相反的第二表面的第二側，所述第二表面是所述第一基板的光入射面；

雪崩光電二極管，所述雪崩光電二極管包括：

陽極區域，其在所述第一基板中設置在所述第一基板的所述第一側；

陽極電極，其連接到所述陽極區域；

陰極區域，其在所述第一基板中設置在所述第一基板的所述第一側；

絕緣層，其在所述第一基板中設置在所述第一基板的所述第一側；

陰極電極，其連接到所述陰極區域，其中，所述陰極電極或所述陽極電極穿過所述絕緣層；

第一配線層，所述第一配線層在所述第一基板的所述第一表面上，并且所述第一配線層包括連接到所述陽極電極的陽極配線、連接到所述陰極電極的陰極配線、和多個第一接合焊盤；以及

第二基板，所述第二基板包括第二配線層和用于處理從所述雪崩光電二極管輸出的信號的電路，所述第二配線層包括與所述多個第一接合焊盤接合的多個第二接合焊盤。