[發(fā)明專利]非金屬表面上的選擇性沉積

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080033013.2
• 申請日: 2020-05-05
• 公開（公告）號: CN113795609A
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳尚澔;陳璐;賽沙德利·甘古利
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C16/455;C23C16/34;H01L21/768
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種形成阻止層的方法，所述方法包含：將包含金屬材料及非金屬材料的基板暴露于不飽和烴，所述金屬材料具有第一表面且所述非金屬材料具有第二表面，以相對于所述第二表面將阻止層選擇性地形成于所述第一表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述不飽和烴包含至少一種化合物，所述至少一種化合物的通式為R’≡R”。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中R’和R”相同。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中R’和R”為獨立的C₂至C₆基團(tuán)。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述至少一種化合物包含4至12個碳原子。

6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述至少一種化合物僅含有一個不飽和鍵。

7.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述不飽和烴包含3-己炔。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬材料包含以下一或多者：銅、鈷、鎢、鉬或釕。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非金屬材料包含氧化硅。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含：相對于受阻止的所述第一表面將膜選擇性地沉積于所述第二表面上。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中通過將所述基板依序暴露于金屬前驅(qū)物及反應(yīng)物來沉積所述膜。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述金屬前驅(qū)物包含五(二甲基氨基)鉭，所述反應(yīng)物包含氨，且所述膜包含氮化鉭。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含：將所述基板暴露于等離子體，以去除所述阻止層。

14.一種形成低電阻金屬過孔的方法，所述方法包含：

提供具有基板表面的基板，至少一個特征形成于所述基板表面中，所述至少一個特征具有側(cè)壁及底部，所述側(cè)壁包含非金屬材料表面，所述底部包含金屬材料表面；

將所述基板暴露于不飽和烴，以相對于所述非金屬材料表面將阻止層選擇性地形成于所述金屬材料表面上；

將所述基板依序暴露于金屬前驅(qū)物及反應(yīng)物，以相對于所述金屬材料表面上的所述阻止層將膜形成于所述非金屬材料表面上；

有選擇地從所述金屬材料表面去除所述阻止層；以及

將導(dǎo)電填充材料沉積于所述至少一個特征內(nèi)，以形成低電阻金屬過孔。

15.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述不飽和烴包含3-己炔。