[發明專利]用于形成和圖案化層和/或基板的方法

在審

• 申請號: 202080032737.5
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN113785380A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 越澤武仁;程睿;辛格·特金德;押尾英隆
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種形成用于半導體處理的特征的方法，所述方法包括以下步驟：

于基板上形成第一心軸和第二心軸；

沿著所述第一心軸的第一側壁形成第一間隔物并沿著所述第二心軸的第二側壁形成第二間隔物，間隙界定于所述第一間隔物與所述第二間隔物之間；和

由間隙填充材料填充所述間隙，所述間隙填充材料包括摻雜的硅材料。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述第一心軸和所述第二心軸各自為碳。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：藉由濕式蝕刻工藝選擇性地去除所述第一間隔物和所述第二間隔物，其中所述濕式蝕刻工藝不蝕刻所述間隙填充材料。

4.如權利要求3所述的方法，其中藉由所述間隙填充材料無縫地填充所述間隙。

5.如權利要求3所述的方法，其中所述摻雜的硅材料為硼摻雜的硅，所述硼摻雜的硅具有介于10²⁰cm^-3與10²⁴cm^-3之間的硼濃度。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述第一間隔物和所述第二間隔物各自為非晶硅。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述濕式蝕刻工藝包括蝕刻溶液，所述蝕刻溶液包括堿性或堿土蝕刻劑。

8.如權利要求5所述的方法，其中所述第一間隔物和所述第二間隔物各自為在低溫下沉積的氧化硅。

9.如權利要求3所述的方法，其中所述摻雜的硅材料為碳摻雜的硅。

10.如權利要求9所述的方法，其中藉由可流動CVD(FCVD)沉積所述碳摻雜的硅。

11.如權利要求9所述的方法，其中所述第一間隔物和所述第二間隔物各自為非晶硅。

12.一種形成用于半導體處理的特征的方法，所述方法包括以下步驟：

于基板上形成第一心軸和第二心軸；

沿著所述第一心軸的第一側壁形成第一間隔物并沿著所述第二心軸的第二側壁形成第二間隔物，間隙界定于所述第一間隔物與所述第二間隔物之間，所述第一間隔物和所述第二間隔物各自包括摻雜的硅材料；和

由間隙填充材料填充所述間隙。