[發明專利]用于制造電子電力模塊的方法

在審

• 申請號: 202080032723.3
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN113767456A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 巴普蒂斯泰·喬艾爾·克里斯汀·費迪;拉比赫·克哈扎卡;托尼·姚瑟夫;皮埃爾·金·薩洛特
• 申請（專利權）人: 賽峰公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/367;H01L23/495;H01L25/16
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 南霆;李有財

1.用于通過增材制造來制造電力電子模塊(1)的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

-在絕緣襯底(2a)的至少一個面上制作或固定聚合物材料的預成型體(15)，所述絕緣襯底被覆蓋有至少一個金屬層(2b、2c)，被稱為金屬化襯底(2)，

-在所述預成型體(15)上沉積第一金屬層(17)，

-通過電成型而在所述第一金屬層(17)上沉積第二金屬層(18)。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括通過化學或熱學手段溶解聚合物材料的預成型體(15)的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法包括在所述金屬化襯底(2a)上組裝例如半導體電力組件(3)的有源組件的步驟。

4.根據權利要求1到3中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法包括在沉積所述第一金屬層(17)之前保護所述金屬化襯底(2a)的至少一個區域的步驟。

5.根據權利要求1到4中任一項所述的方法，其特征在于，所述金屬化襯底(2)包括至少一個陶瓷的絕緣層(2a)。

6.根據權利要求1到5中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層(17)的厚度小于5微米，優選地小于1微米。

7.根據權利要求1和3所述的方法，其特征在于，所述電力電子模塊(1)包括外殼(7)，所述金屬化襯底(2)和所述有源組件(3)容納在所述外殼中，所述方法包括至少部分地用電絕緣材料(10)填充所述外殼的步驟。