[發明專利]包含含釕導電柵極的組合件

在審

• 申請號: 202080032717.8
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN113767473A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: R·甘地
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11573;H01L29/792;H01L29/66
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 彭曉文

1.一種存儲器單元，其包括：

導電柵極，其包括釕；

電荷阻擋區，其鄰近于所述導電柵極；

電荷存儲區，其鄰近于所述電荷阻擋區；

隧穿材料，其鄰近于所述電荷存儲區；以及

溝道材料，其鄰近于所述隧穿材料。

2.根據權利要求1所述的存儲器單元，其包括電介質阻擋層材料，所述電介質阻擋層材料直接抵靠所述導電柵極的所述釕且在所述電荷阻擋區與所述導電柵極之間。

3.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述溝道材料包括硅、鍺、III/V半導體材料和半導體氧化物中的一或多種。

4.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述溝道材料包括硅。

5.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述導電柵極由所述釕組成。

6.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述導電柵極包括：

導電芯材料，其包括除所述釕外的一或多種金屬；以及

第二導電材料，其鄰近于所述導電芯材料的周邊且包括所述釕。

7.根據權利要求6所述的存儲器單元，其中所述導電芯材料由除所述釕外的所述一或多種金屬組成。

8.根據權利要求6所述的存儲器單元，其中所述導電芯材料包含鎢和鉬中的一種或兩種。

9.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述導電柵極包括：

導電芯材料，其包括除所述釕外的一或多種金屬；

第二導電材料，其鄰近于所述導電芯材料且包括至少一種金屬氮化物；以及

第三導電材料，其鄰近于所述第二導電材料且包括所述釕。

10.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述導電柵極包括：

導電芯材料，其包括除所述釕外的一或多種金屬；

第二導電材料，其鄰近于所述導電芯材料且包括鈦和鎢中的一種兩種；以及

第三導電材料，其鄰近于所述第二導電材料且包括所述釕。

11.根據權利要求10所述的存儲器單元，其中：

所述導電芯材料由鎢組成；

所述第二導電材料包括氮化鈦和氮化鎢中的一種或兩種；且

所述第三導電材料由所述釕組成。

12.一種組合件，其包括：

交替的絕緣層級和字線層級的豎直堆疊，所述字線層級包括導電字線材料，所述導電字線材料包含釕；

半導體材料，其作為溝道結構延伸穿過所述堆疊；

電荷存儲區，其在所述導電字線材料與所述溝道結構之間；以及

電荷阻擋區，其在所述電荷存儲區與所述導電字線材料之間。

13.根據權利要求12所述的組合件，其中所述導電字線材料由所述釕組成。

14.根據權利要求12所述的組合件，其中所述半導體材料包括硅。

15.根據權利要求12所述的組合件，其中所述導電字線材料包括：

導電芯材料，其不包含所述釕；以及

第二導電材料，其鄰近于所述導電芯材料的周邊且包括所述釕。

16.根據權利要求15所述的組合件，其中所述導電芯材料包含一或多種金屬。

17.根據權利要求15所述的組合件，其中所述導電芯材料由鎢組成。

18.根據權利要求15所述的組合件，其中所述導電芯材料由鉬組成。