[發(fā)明專利]阻抗受控的電接觸件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080032441.3
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN113767530A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 克拉倫斯·L·克萊亞特三世;特拉維斯·埃利斯
• 申請（專利權(quán)）人: 申泰公司
• 主分類號: H01R13/646
• 分類號: H01R13/646;H01R13/24
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 梁曉廣;李金剛

1.一種電接觸件，包括：

靜止電接觸構(gòu)件；和

可移動電接觸構(gòu)件，所述可移動電接觸構(gòu)件可相對于所述靜止電接觸構(gòu)件從初始位置移動至對接位置，其中所述可移動電接觸構(gòu)件具有外表面，所述外表面與所述靜止電接觸構(gòu)件在所述初始位置和所述對接位置，以及所述初始位置和所述對接位置之間的全部位置處都接觸，

其中，當所述可移動電接觸構(gòu)件處于所述初始位置時以及當所述可移動電接觸構(gòu)件處于所述對接位置時，所述電接觸件被配置成為在目標阻抗的10％以內(nèi)傳導RF信號。

2.如權(quán)利要求1所述的電接觸件，其中所述目標阻抗為50Ω。

3.如前述權(quán)利要求中任一項所述的電接觸件，其中所述單端阻抗在所述目標阻抗的3Ω范圍內(nèi)。

4.如前述權(quán)利要求中任一項所述的電接觸件，其中所述單端阻抗在所述目標阻抗的1Ω范圍內(nèi)。

5.如前述權(quán)利要求中任一項所述的電接觸件，其中當所述可移動電接觸構(gòu)件從所述初始位置向所述對接位置移動時，所述可移動電接觸構(gòu)件接觸所述靜止電接觸構(gòu)件的接觸位置，并且當所述可移動電接觸構(gòu)件從所述初始位置向所述對接位置移動時，所述靜止電接觸構(gòu)件的所述接觸位置是靜止的。

6.如權(quán)利要求5所述的電接觸件，還包括導電外殼，所述導電外殼與所述可移動電接觸構(gòu)件和所述靜止電接觸構(gòu)件中的每一者均電隔離。

7.如權(quán)利要求6所述的電接觸件，其中所述導電殼體界定具有第一內(nèi)橫截面尺寸的第一區(qū)和具有第二內(nèi)橫截面尺寸的第二區(qū)，所述第二內(nèi)橫截面尺寸比所述第一內(nèi)橫截面尺寸大。

8.如權(quán)利要求7所述的電接觸件，其中所述第二區(qū)與所述靜止電接觸構(gòu)件的遠自由端對準。

9.如權(quán)利要求6至8中任一項所述的電接觸件，其中所述接觸件界定從所述可移動內(nèi)接觸構(gòu)件向所述外殼延伸的間隙，并且所述間隙至少約為5密耳。

10.如權(quán)利要求7至9中任一項所述的電接觸件，還包括電絕緣間隔件，所述電絕緣間隔件從所述靜止電接觸構(gòu)件延伸到所述外殼。

11.如前述權(quán)利要求中任一項所述的電接觸件，其中所述可移動內(nèi)接觸構(gòu)件的所述外表面從第一區(qū)到前端逐漸變小，所述前端被配置成與基板的電接觸墊對接。

12.如權(quán)利要求11所述的電接觸件，其中所述可移動內(nèi)構(gòu)件的所述外表面從第一橫截面尺寸逐漸變小至第二橫截面尺寸，所述第二橫截面尺寸在所述第一橫截面尺寸的50％至90％的范圍以內(nèi)。

13.如權(quán)利要求12所述的電接觸件，其中所述第二橫截面尺寸約是所述第一橫截面尺寸的六分之五。

14.如前述權(quán)利要求中任一項所述的電接觸件，其中所述可移動電接觸構(gòu)件被朝向所述初始位置偏置。

15.如前述權(quán)利要求中任一項所述的電接觸件，其中所述靜止電接觸構(gòu)件包括至少一個臂，所述至少一個臂界定所述靜止電接觸構(gòu)件的遠端，并且所述可移動電接觸構(gòu)件與所述遠端在所述初始位置和所述對接位置，以及在所述初始位置和所述對接位置之間的全部位置處都接觸。

16.如權(quán)利要求15所述的電接觸件，其中所述靜止電接觸構(gòu)件的所述至少一個臂包括第一懸臂和第二懸臂。

17.如權(quán)利要求16所述的電接觸件，其中所述第一懸臂和所述第二懸臂中的每一者均是有彈性并且向外偏轉(zhuǎn)的，并且對所述可移動電接觸構(gòu)件施加向內(nèi)的彈簧力。

18.如前述權(quán)利要求中任一項所述的電接觸件，其中所述電接觸件是RF電接觸件。