[發(fā)明專利]FET控制裝置和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080032429.2 | 申請日: | 2020-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN113767571A | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安洋洙;李相鎮(zhèn) | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社LG新能源 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687;H02J7/00 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 穆森;戚傳江 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | fet 控制 裝置 方法 | ||
本公開涉及一種FET控制裝置和方法,并且旨在提供用于自適應(yīng)地調(diào)整施加到FET的電壓以對應(yīng)于FET的源極端子的電壓來準(zhǔn)確地控制FET的操作狀態(tài)的FET控制裝置和方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方面,施加到柵極端子的電壓可以使用電容器根據(jù)源極端子的電壓自適應(yīng)地控制。因此,即使當(dāng)源極端子未被連接到接地而是被連接到外部負(fù)載時,也存在可以平穩(wěn)地且準(zhǔn)確地控制FET的操作狀態(tài)的優(yōu)點(diǎn)。此外,根據(jù)本發(fā)明的一個方面,存在能夠?qū)ET的柵極端子施加特定范圍內(nèi)的電壓的優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請要求于2019年11月26日在韓國提交的韓國專利申請No.10-2019-0153701的優(yōu)先權(quán),其公開內(nèi)容通過引用并入本文。
本公開涉及一種FET控制裝置和方法,并且更具體地,涉及一種用于準(zhǔn)確地控制FET的操作狀態(tài)的FET控制裝置和方法。
背景技術(shù)
近來,對諸如筆記本計(jì)算機(jī)、攝像機(jī)和便攜式電話的便攜式電子產(chǎn)品的需求已急劇地增加,并且已認(rèn)真地發(fā)展了電動車輛、儲能電池、機(jī)器人、衛(wèi)星等。因此,正在積極地研究允許重復(fù)充電和放電的高性能電池。
目前可商購的電池包括鎳鎘電池、鎳氫電池、鎳鋅電池、鋰電池等。其中,鋰電池引入注目,因?yàn)樗鼈兣c鎳基電池相比幾乎沒有記憶效應(yīng)并且具有非常低的自放電率和高能量密度。
同時,如果向電池組提供這樣的電池,則可以將從電池輸出的電流或流入電池的電流流過的主繼電器設(shè)置在電池組的主充電/放電路徑上。
例如,如果對主繼電器應(yīng)用包括漏極端子、源極端子和柵極端子的N溝道MOSFET,則只有當(dāng)源極端子與柵極端子之間的電壓差等于或大于特定電平時,漏極端子和源極端子才可以被電連接。在這種情況下,如果源極端子和柵極端子連接到公共接地,則可以通過調(diào)整施加到柵極端子的電壓來控制FET的操作狀態(tài)。然而,如果源極端子和柵極端子未連接到公共接地,則存在不考慮施加到源極端子的電壓就不能控制FET的操作狀態(tài)的問題。也就是說,為了準(zhǔn)確地控制FET的操作狀態(tài),有必要自適應(yīng)地調(diào)整施加到柵極端子的電壓以對應(yīng)于施加到源極端子的電壓。
發(fā)明內(nèi)容
本公開被設(shè)計(jì)來解決現(xiàn)有技術(shù)的問題,因此本公開致力于提供一種用于通過自適應(yīng)地調(diào)整施加到FET的電壓以對應(yīng)于FET的源極端子的電壓來準(zhǔn)確地控制FET的操作狀態(tài)的FET控制裝置和方法。
本公開的這些及其他目的和優(yōu)點(diǎn)可以從以下詳細(xì)描述中被理解并且將從本公開的示例性實(shí)施例中變得更充分地顯而易見。另外,將容易地理解,本公開的目的和優(yōu)點(diǎn)可以通過所附權(quán)利要求中示出的手段及其組合來實(shí)現(xiàn)。
在本公開的一個方面中,提供了一種用于控制包括漏極端子、柵極端子和源極端子的FET的操作狀態(tài)的FET控制裝置,該FET控制裝置包括:電容器,該電容器被配置成通過放電線在柵極端子與源極端子之間與FET并聯(lián)連接;電壓源,該電壓源被配置成通過充電線電連接到電容器并且被配置成在充電線被電連接時對電容器充電;測量單元,該測量單元被配置成測量源極端子的電壓和電容器的電壓;以及控制單元,該控制單元被配置成從測量單元接收源極端子的電壓和電容器的電壓,基于源極端子的電壓設(shè)定目標(biāo)電壓,通過電連接充電線由電壓源對電容器充電直到電容器的電壓等于或高于目標(biāo)電壓為止,并且在電容器被完全充電之后通過電連接放電線來控制FET的操作狀態(tài)。
控制單元可以被配置成通過將預(yù)設(shè)閾值電壓和源極端子的電壓相加來設(shè)定目標(biāo)電壓。
閾值電壓可以被預(yù)先設(shè)定為柵極端子與源極端子之間的電壓差,其將FET的操作狀態(tài)轉(zhuǎn)換為接通狀態(tài)。
放電線可以被配置成包括:第一單元線,該第一單元線具有被配置成連接?xùn)艠O端子和電容器的一端的第一開關(guān);以及第二單元線,該第二單元線具有被配置成連接源極端子和電容器的另一端的第二開關(guān)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社LG新能源,未經(jīng)株式會社LG新能源許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202080032429.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:順序壓力化成夾具和使用其的化成方法
- 下一篇:感放射線性樹脂組合物的制造方法
- 串聯(lián)/分路開關(guān)及操作方法
- 包括具有隔離溝道的增強(qiáng)型和耗盡型FET的雙極性/雙FET結(jié)構(gòu)
- 具有互補(bǔ)鐘控開關(guān)本體NMOS-PMOS偽元件的開關(guān)本體NMOS-PMOS開關(guān)
- 使用大規(guī)模 FET 陣列測量分析物的方法和裝置
- 電子控制裝置以及搭載了該電子控制裝置的電動助力轉(zhuǎn)向裝置
- 電流再利用型場效應(yīng)晶體管放大器
- 差動放大電路
- 高電壓輸出放大器
- 一種基于GaAs HEMT工藝的施密特觸發(fā)器
- 高效率、寬度電可調(diào)的場效應(yīng)晶體管及其實(shí)現(xiàn)方法





