[發(fā)明專利]電壓驅(qū)動器電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080031358.4 | 申請日： | 2020-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN113728292A | 公開（公告）日： | 2021-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 揚·保羅·安東尼·范德瓦特;艾倫·帕克斯;勞倫斯·蔡 | 申請（專利權(quán)）人： | 泰瑞達公司 |
| 主分類號： | G05F3/16 | 分類號： | G05F3/16 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 趙曉祎;戚傳江 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電壓 驅(qū)動器 電路 | ||
1.一種電壓驅(qū)動器，包括：
驅(qū)動器輸出；
多個電路片，每個電路片包括：
時間常數(shù)；
一個或多個開關(guān)，所述一個或多個開關(guān)被配置為將所述驅(qū)動器輸出可切換地連接到第一電壓電平或高于所述第一電壓電平的第二電壓電平；其中：
所述多個電路片中的開關(guān)被配置為將具有第一時間常數(shù)的至少第一電路片與所述第一電壓電平斷開并且將所述第一電路片連接到所述第二電壓電平，以及將具有第二時間常數(shù)的至少第二電路片與所述第二電壓電平斷開并且將所述第二電路片連接到所述第一電壓電平，使得所述驅(qū)動器輸出處的輸出波形中的上升沿具有峰化特性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓驅(qū)動器，其中所述峰化特性是電壓峰值的峰值量值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓驅(qū)動器，其中：
所述輸出波形包括具有基于所述第一時間常數(shù)的第一時間速率的第一部分以及在所述第一部分之后的具有基于所述第二時間常數(shù)的第二時間速率的第二部分，所述第一部分和所述第二部分限定所述電壓峰值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓驅(qū)動器，其中所述第二可編程時間常數(shù)大于所述第一可編程時間常數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓驅(qū)動器，其中：
所述多個電路片中的開關(guān)被進一步配置為將所述第一電路片與所述第二電壓電平斷開并且將所述第一電路片連接到所述第一電壓電平，以及將所述第二電路片與所述第一電壓電平斷開并且將所述第二電路片連接到所述第二電壓電平，使得所述驅(qū)動器輸出處的所述輸出波形中的下降沿具有所述可編程峰化特性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓驅(qū)動器，其中所述第二時間常數(shù)是可編程時間常數(shù)，并且所述第二電路片還包括：
電阻器，所述電阻器具有第一電阻器端子和第二電阻器端子；
片輸出，所述片輸出連接到所述第一電阻器端子和所述驅(qū)動器輸出；
電容器，所述電容器具有可編程電容并連接到所述第二電阻器端子；其中所述可編程時間常數(shù)基于所述電容器的所述可編程電容。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電壓驅(qū)動器，其中對于所述第二電路片：
所述一個或多個開關(guān)被配置為將所述電阻器的所述第二電阻器端子可切換地連接到所述第一電壓電平或所述第二電壓電平，或者將所述第二電阻器端子與所述第一電壓電平和所述第二電壓電平可切換地斷開，使得所述電壓驅(qū)動器電路在所述驅(qū)動器輸出處具有可編程輸出阻抗。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓驅(qū)動器，其中對于所述第二電路片：
所述一個或多個開關(guān)包括第一開關(guān)和第二開關(guān)，所述第一開關(guān)被配置為將所述第二電阻器端子選擇性地連接到所述第一電壓電平，所述第二開關(guān)被配置為將所述第二電阻器端子選擇性地連接到所述第二電壓電平，使得所述電壓驅(qū)動器電路在所述驅(qū)動器輸出處具有可編程輸出電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電壓驅(qū)動器，其中所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)是硅金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電壓驅(qū)動器，其中每個電路片中的所述電阻器包括多晶硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電壓驅(qū)動器，其中：
所述第一開關(guān)包括串聯(lián)耦接在所述第一電壓電平和所述第二電阻器端子之間的第一晶體管和第三晶體管，并且
所述第二開關(guān)包括串聯(lián)耦接在所述第二電壓電平和所述第二電阻器端子之間的第二晶體管和第四晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電壓驅(qū)動器，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管是硅金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，其中：
所述第三晶體管具有比所述第一晶體管更高的特征操作電壓，并且所述第四晶體管具有比所述第二晶體管更高的特征操作電壓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于泰瑞達公司，未經(jīng)泰瑞達公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202080031358.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
