[發(fā)明專利]使用犧牲層的半導(dǎo)體掩模再成形

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080030905.7
• 申請(qǐng)日: 2020-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN113728414A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚忠魁;蘇曉峰;向華;秦策
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/033
• 分類號(hào): H01L21/033;H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;張華

1.一種方法，其包含：

提供襯底至處理室，所述襯底包含設(shè)置于待蝕刻的目標(biāo)層上的圖案化掩模層，所述目標(biāo)層包含第一材料，所述第一材料相對(duì)于第一蝕刻化學(xué)品具有第一蝕刻速率，且所述圖案化掩模層包含第二材料，所述第二材料相對(duì)于所述第一蝕刻化學(xué)品具有第二蝕刻速率，其中所述第一蝕刻速率高于所述第二蝕刻速率；

在所述圖案化掩模層上沉積犧牲層，所述犧牲層包含第三材料，所述第三材料相對(duì)于所述第一蝕刻化學(xué)品具有第三蝕刻速率，所述第三蝕刻速率高于所述第二蝕刻速率；以及

利用第二蝕刻化學(xué)品對(duì)所述圖案化掩模層進(jìn)行蝕刻，其中所述犧牲層抑制對(duì)被所述犧牲層覆蓋的所述圖案化掩模層的蝕刻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一材料與所述第三材料是相似的。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第三材料具有與所述第一材料至少50％摩爾百分比相同的化學(xué)組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第三材料具有與所述第一材料至少75％摩爾百分比相同的化學(xué)組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第三材料具有與所述第一材料至少90％摩爾百分比相同的化學(xué)組成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第三蝕刻速率與所述第一蝕刻速率相差在±50％的范圍以內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第三蝕刻速率與所述第一蝕刻速率相差在±10％的范圍以內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二材料相對(duì)于所述第二蝕刻化學(xué)品的蝕刻速率高于所述第一材料以及所述第三材料相對(duì)于所述第二蝕刻化學(xué)品的蝕刻速率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包含：在沉積所述犧牲層之前，在所述圖案化掩模層上沉積額外的第二材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法還包含：在沉積所述犧牲層之后，在所述圖案化掩模層上沉積額外的第二材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述圖案化掩模層上沉積包含：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)處理。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述圖案化掩模層上沉積包含：高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)處理。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積與所述蝕刻在相同的處理室內(nèi)進(jìn)行。

14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第二材料為基于SiO₂或基于SiN的材料，且所述第一材料和所述第三材料為基于硅的材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求1-13中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第二材料為基于SiON的材料，且所述第一材料和所述第三材料為基于碳的材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求1-13中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第二材料為基于碳的材料，且所述第一材料和所述第三材料為基于SiO₂或基于SiON的材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求1-13中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第二材料為基于硅的材料，且所述第一材料和所述第三材料為基于SiO₂或基于SiN的材料。

18.根據(jù)權(quán)利要求1-13中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述第二材料為基于SiO₂的材料或基于SiN的材料，并且所述第一材料和第三材料為基于鎢的材料。