[發(fā)明專利]包含嵌段共聚物的組合物和使用該組合物生產(chǎn)硅質(zhì)膜的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080026363.6
• 申請(qǐng)日: 2020-04-06
• 公開（公告）號(hào): CN113677744A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤原嵩士;佐藤敦彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 默克專利有限公司
• 主分類號(hào): C08J3/28
• 分類號(hào): C08J3/28;C08G77/60;C09D183/16;H01L21/02;C08G77/32;C08G77/38
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

1.一種硅質(zhì)膜制造用組合物，其包含：

(a)嵌段共聚物，其具有：具有5個(gè)或更多個(gè)硅原子的線性和/或環(huán)狀聚硅烷主鏈嵌段A和具有15個(gè)或更多個(gè)硅原子的聚碳硅烷主鏈嵌段B，其中嵌段A的至少一個(gè)硅原子與嵌段B的至少一個(gè)硅原子以單鍵和/或含有硅原子的交聯(lián)劑鍵合，和

(b)溶劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中嵌段A包含5個(gè)或更多個(gè)從下式(I-1)至(I-3)表示的單元中選出的至少一種的重復(fù)單元，并且嵌段B包含15個(gè)或更多個(gè)從下式(II-1)至(II-4)表示的單元中選出的至少一種的重復(fù)單元：

其中

每個(gè)R^Ia、R^Ib和R^Ic獨(dú)立地為氫、鹵素、C₁–C₆烷基或C₆–C₁₀芳基，

其中

每個(gè)R^IIa-R^IIf獨(dú)立地為氫、C₁-C₆烷基或C₆-C₁₀芳基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中該嵌段共聚物的質(zhì)均分子量為1,200至25,000。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中嵌段A的重復(fù)單元總數(shù)與嵌段B的重復(fù)單元總數(shù)之比為20～230％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中嵌段A的R^Ia、R^Ib和R^Ic中的至少一個(gè)為單鍵，其余為氫。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中嵌段B的R^IIa-R^IIf中的至少一個(gè)為單鍵，其余為氫。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中該嵌段共聚物由包含嵌段B的主鏈和包含嵌段A的側(cè)鏈構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中嵌段A中的至少一個(gè)是(I-4)：

其中

每個(gè)R^Id和R^Ie獨(dú)立地是氫、鹵素、C₁-C₆烷基、C₆-C₁₀芳基或單鍵，條件是R^Id或R^Ie中的至少一個(gè)是單鍵，p是5或更大的整數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中該嵌段共聚物包含與另一個(gè)嵌段A鍵合的嵌段A、與另一個(gè)嵌段B鍵合的嵌段B和/或用含有硅原子的交聯(lián)劑與嵌段B鍵合的嵌段A。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的硅質(zhì)膜制造用組合物，其中該溶劑具有3.0或更小的相對(duì)介電常數(shù)。

11.一種制造硅質(zhì)膜的方法，包括：

將根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的硅質(zhì)膜制造用組合物施用于襯底上以形成涂層，以及

在氧化氣氛下固化該涂層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該氧化氣氛為20～101kPa的氧分壓和/或0.5～101kPa的水蒸氣分壓。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，還包括在固化之前對(duì)涂層進(jìn)行波長(zhǎng)為245～438nm的光照射。

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的方法，其中該固化在200～1000℃下進(jìn)行。