[發(fā)明專利]諧振裝置以及諧振裝置制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202080023672.8
• 申請日: 2020-02-04
• 公開（公告）號: CN113632375A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 福光政和;樋口敬之
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/24
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 郭忠健

1.一種諧振裝置，具備：

第一基板，包含諧振子；

第二基板，設(shè)置為密封上述諧振子的振動空間；以及

第一共晶反應(yīng)層，位于上述第一基板與上述第二基板之間，上述第一共晶反應(yīng)層擴(kuò)散到上述第二基板的內(nèi)部，并與上述第二基板電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的諧振裝置，其中，

在上述第一基板的上述諧振子的大致整個面設(shè)置有絕緣層，

上述第一共晶反應(yīng)層與上述第二基板電連接，以便使上述第二基板接地，并且上述第一共晶反應(yīng)層經(jīng)由上述絕緣層與上述第一基板絕緣地連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的諧振裝置，其中，

上述第二基板的材料是硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的諧振裝置，其中，

上述第一共晶反應(yīng)層的主成分具有鋁以及鍺。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的諧振裝置，其中，

上述第一共晶反應(yīng)層的主成分還具有鈦，

上述第一共晶反應(yīng)層是通過鋁、鍺以及鈦的共晶反應(yīng)構(gòu)成的合金層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3～5中任意一項(xiàng)所述的諧振裝置，其中，

上述第一共晶反應(yīng)層的上述第二基板側(cè)的鋁的濃度低于上述第一基板側(cè)的鋁的濃度，或者上述第一共晶反應(yīng)層的上述第二基板側(cè)的鋁的濃度與上述第一基板側(cè)的鋁的濃度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項(xiàng)所述的諧振裝置，其中，

還具備第二共晶反應(yīng)層，上述第二共晶反應(yīng)層將上述第一基板與上述第二基板接合，

上述第二共晶反應(yīng)層位于上述第一共晶反應(yīng)層的外周側(cè)，并且還經(jīng)由絕緣層與上述第一基板以及上述第二基板絕緣地連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的諧振裝置，其中，

上述第二共晶反應(yīng)層具有與上述第一共晶反應(yīng)層相同的成分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的諧振裝置，其中，

上述振動空間的真空度是1帕以上且2帕以下。

10.一種諧振裝置制造方法，包括：

準(zhǔn)備包含諧振子的第一基板、和能夠密封上述諧振子的振動空間的第二基板；

在上述第一基板中的上述諧振子的振動部的周圍形成第一金屬層；

在上述第二基板的與上述第一金屬層對置的位置形成具有與上述第一金屬層不同的成分的第二金屬層；以及

將上述第一基板與上述第二基板接合，

在上述接合時，上述第一金屬層與上述第二金屬層發(fā)生共晶反應(yīng)以生成第一共晶反應(yīng)層，

上述第一共晶反應(yīng)層擴(kuò)散到上述第二基板的內(nèi)部，并與上述第二基板電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的諧振裝置制造方法，其中，

上述第一共晶反應(yīng)層位于上述第一基板與上述第二基板之間，上述第一共晶反應(yīng)層的上述第二基板側(cè)的部分?jǐn)U散到上述第二基板的內(nèi)部并與上述第二基板電連接，以便使上述第二基板接地，并且上述第一共晶反應(yīng)層的上述第一基板側(cè)的部分經(jīng)由設(shè)置于上述第一基板的絕緣層與上述第一基板絕緣地連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的諧振裝置制造方法，其中，

上述第二基板的材料是硅，

上述第一金屬層至少具有鋁層，

上述第二金屬層至少具有鍺層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的諧振裝置制造方法，其中，

上述鋁層的厚度約為0.70μm，

上述鍺層的厚度約為0.38μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的諧振裝置制造方法，其中，

上述第二金屬層還具有鈦層，

上述鈦層設(shè)置于比上述鍺層更靠上述第二基板側(cè)，

上述第一共晶反應(yīng)層是通過鋁、鍺以及鈦的共晶反應(yīng)構(gòu)成的合金層。