[發(fā)明專利]干蝕刻方法及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080022923.0
• 申請(qǐng)日: 2020-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN113614891A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大森啟之;古谷俊太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中央硝子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種干蝕刻方法，其特征在于，針對(duì)具有硅化合物膜的基板，介由形成在所述硅化合物膜上的具有規(guī)定開口圖案的掩膜，將干蝕刻劑等離子化后對(duì)所述硅化合物膜進(jìn)行蝕刻，

所述干蝕刻劑包含以下的所有第1氣體至第4氣體：

第1氣體：選自由碘氟碳化合物和溴氟碳化合物組成的組中的1種以上的化合物；

第2氣體：由C_nF_m表示的不飽和氟碳，n＝2～5的整數(shù)，m＝2、4、6、8所表示的整數(shù)，其中，n：m＝2：6、2：8、3：2、3：8、5：2的組合除外；

第3氣體：由C_xH_yF_z表示的含氫不飽和氟碳，x＝2～4的整數(shù)，y+z＝2、4、6、8所表示的整數(shù)，其中，x：y+z＝2：6、2：8、3：2、3：8的組合除外而表示的整數(shù)；

第4氣體：氧化性氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述第1氣體中包含的碘原子和溴原子數(shù)少于所述第3氣體中包含的氫原子數(shù)的2倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述干蝕刻劑中的所述第1氣體的體積為所述第2氣體和所述第3氣體的總計(jì)體積的0.01倍以上且2倍以下的范圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述干蝕刻劑中，以體積比計(jì)，所述第2氣體：所述第3氣體＝1：0.05以上且20以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述干蝕刻劑中，所述氧化性氣體為所述干蝕刻劑的1體積％以上且50體積％以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述不飽和氟碳為選自由C₃F₆、C₄F₆和C₅F₈組成的組中的至少1種，

所述含氫不飽和氟碳為C₃H₂F₄。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述不飽和氟碳為六氟丙烯，

所述含氫不飽和氟碳為反式-1,3,3,3四氟丙烯。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述氧化性氣體為選自由O₂、O₃、CO、CO₂、COCl₂、COF₂和NO₂組成的組中的至少1種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述干蝕刻劑還包含作為第5氣體的非活性氣體，

所述非活性氣體為選自由He、Ne、Ar、Kr、Xe和N₂組成的組中的至少1種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，對(duì)經(jīng)等離子化的所述干蝕刻劑施加絕對(duì)值500V以上的負(fù)的直流的自偏壓，對(duì)所述硅化合物膜進(jìn)行蝕刻。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，對(duì)所述硅化合物膜進(jìn)行蝕刻后，在所述干蝕刻劑所接觸的所述基板的表面殘留的碘原子和溴原子的量為1×10¹¹原子/cm²以下。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述基板為硅晶圓。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的干蝕刻方法，其特征在于，所述基板具有硅膜。