[發(fā)明專利]成像處理電路、成像系統(tǒng)、成像處理方法以及程序在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080022226.5 | 申請日: | 2020-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN113614930A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 山平征二 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/10 | 分類號: | H01L31/10;H04N5/374 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 莊錦軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 處理 電路 系統(tǒng) 方法 以及 程序 | ||
1.一種成像處理電路,包括:限制器,配置為限制來自光電轉換器的輸出信號的最大值或最小值中的至少一個,所述光電轉換器被配置為將光子轉換成電荷,并且所述光電轉換器的從光子到電荷的轉換比率是可變的,
所述限制器將當所述轉換比率為第一轉換比率時來自所述光電轉換器的輸出信號的最大值與最小值之差限制為小于當所述轉換比率為小于所述第一轉換比率的第二轉換比率時來自所述光電轉換器的輸出信號的最大值與最小值之差。
2.根據權利要求1所述的成像處理電路,其中,
所述限制器包括至少一個限制器;
所述光電轉換器包括多個光電轉換器;以及
所述至少一個限制器中的一個限制器限制所述多個光電轉換器中的兩個或更多個光電轉換器的輸出信號中的每一個的最大值或最小值中的至少一個。
3.根據權利要求2所述的成像處理電路,其中,
所述限制器被配置為:以豎直信號線和所述多個光電轉換器中的向所述豎直信號線輸出輸出信號的所述兩個或更多個光電轉換器為單位,限制所述豎直信號線的電壓的最大值或最小值中的至少一個。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的成像處理電路,其中,
所述限制器被配置為:將當所述轉換比率為所述第一轉換比率時來自所述光電轉換器的輸出信號的最小值調整為大于當所述轉換比率為所述第二轉換比率時來自所述光電轉換器的輸出信號的最小值。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的成像處理電路,其中,
所述限制器被配置為:將當所述轉換比率為所述第一轉換比率時來自所述光電轉換器的輸出信號的最大值調整為小于當所述轉換比率為所述第二轉換比率時來自所述光電轉換器的輸出信號的最大值。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的成像處理電路,其中,
所述限制器被配置為:隨著所述轉換比率增大而減小來自所述光電轉換器的輸出信號的最大值與最小值之差。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的成像處理電路,還包括調整器,所述調整器被配置為調整所述轉換比率,其中,
所述調整器具有將所述轉換比率調整為所述第一轉換比率的第一模式和將所述轉換比率調整為所述第二轉換比率的第二模式作為操作模式,以及
所述限制器被配置為:根據所述調整器的操作模式限制來自所述光電轉換器的輸出信號的最大值或最小值中的至少一個。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的成像處理電路,其中,
所述光電轉換器包括雪崩光電二極管,以及
所述第一轉換比率是向所述雪崩光電二極管施加雪崩擊穿電壓時的轉換比率。
9.一種成像系統(tǒng),包括:
根據權利要求1至8中任一項所述的成像處理電路;以及
所述光電轉換器。
10.一種成像處理方法,包括:限制來自光電轉換器的輸出信號的最大值或最小值中的至少一個的限制處理,所述光電轉換器被配置為將光子轉換成電荷,并且所述光電轉換器的從光子到電荷的轉換比率是可變的,
所述限制處理包括將當所述轉換比率為第一轉換比率時來自所述光電轉換器的輸出信號的最大值與最小值之差限制為小于當所述轉換比率為小于所述第一轉換比率的第二轉換比率時來自所述光電轉換器的輸出信號的最大值與最小值之差。
11.一種程序,被配置為使一個或多個處理器執(zhí)行根據權利要求10所述的成像處理方法。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于松下知識產權經營株式會社,未經松下知識產權經營株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202080022226.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





