[發明專利]具有高光纖數的光纖光纜在審
| 申請號: | 202080021984.5 | 申請日: | 2020-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN113614598A | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發明(設計)人: | S·R·別克漢姆;李明軍;P·坦登;R·坦登 | 申請(專利權)人: | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/02 | 分類號: | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 張璐;樂洪詠 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 光纖 光纜 | ||
1.一種光纖,其包括:
芯體區,所述芯體區包含摻雜有堿金屬氧化物的二氧化硅玻璃,所述芯體區具有半徑r1和相對折射率分布Δ1,所述半徑r1在3.0μm至10.0μm的范圍內,所述相對折射率分布Δ1具有在-0.15%至0.30%的范圍內的最大相對折射率Δ1最大;
包圍芯體區并且直接相鄰芯體區的包層區,所述包層區具有在37.5μm至62.5μm的范圍內的半徑r4;
包圍包層區并且直接相鄰包層區的一次涂層,所述一次涂層具有半徑r5,在0.05MPa至0.30MPa范圍內的原位模量,以及在8.0μm至20.0μm范圍內的厚度r5–r4;和
包圍一次涂層并且直接相鄰一次涂層的二次涂層,所述二次涂層具有小于或等于100.0μm的半徑r6,大于1600MPa的楊氏模量,以及在8.0μm至20.0μm范圍內的厚度r6–r5。
2.如權利要求1所述的光纖,其中,二氧化硅玻璃不含GeO2。
3.如權利要求1或2所述的光纖,其中,半徑r1在4.0μm至8.0μm的范圍內。
4.如權利要求1-3中任一項所述的光纖,其中,Δ1最大在-0.05%至0.15%的范圍內。
5.如權利要求1-4中任一項所述的光纖,其中,芯體區具有在-0.20%至0.10%范圍內的最小相對折射率Δ1最小,并且其中,Δ1最大與Δ1最小的差大于0.10%。
6.如權利要求1-5中任一項所述的光纖,其中,芯體區包括具有恒定相對折射率的一部分,并且該部分在徑向方向上的寬度為至少2.0μm。
7.如權利要求1-6中任一項所述的光纖,其中,半徑r4在42.5μm至57.5μm的范圍內。
8.如權利要求1-7中任一項所述的光纖,其中,包層區包括外包層區,所述外包層區具有在-0.45%至-0.15%范圍內的相對折射率Δ4。
9.如權利要求1-8中任一項所述的光纖,其中,芯體區包括內芯體區和外芯體區,內芯體區具有在0.25μm至3.0μm范圍內的半徑ra,外芯體區具有半徑r1。
10.如權利要求9所述的光纖,其中,內芯體區具有通過α-分布來描述的相對折射率分布且α值小于10,并且外芯體區具有通過α-分布來描述的相對折射率分布且α值大于50。
11.如權利要求1-10中任一項所述的光纖,其中,包層區包括與芯體區直接相鄰的凹陷折射率包層區,以及包圍并且直接相鄰凹陷折射率包層區的外包層區,所述凹陷折射率包層區具有半徑r3,在-0.20%至-0.70%的范圍內的相對折射率Δ3,所述外包層具有半徑r4以及在-0.60%至0.0%的范圍內的相對折射率Δ4。
12.如權利要求11所述的光纖,其中,凹陷折射率包層區的厚度在5.0μm至20.0μm的范圍內。
13.如權利要求11或12所述的光纖,其中,半徑r3在10.0μm至30.0μm的范圍內。
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