[發(fā)明專利]用于在處理具有50nm或更小的線距尺寸的圖案化材料時避免圖案塌陷的包含硼型添加劑的組合物在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080020797.5 | 申請日: | 2020-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN113574460A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·奇霍尼;D·勒夫勒;M·布里爾;F·皮龍;L·恩格布萊希特;M·伯格勒;P·維爾克;Y·伯克;V·博伊哥 | 申請(專利權(quán))人: | 巴斯夫歐洲公司 |
| 主分類號: | G03F7/40 | 分類號: | G03F7/40;B81C1/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/306;C11D11/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 肖威;劉金輝 |
| 地址: | 德國萊茵河*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 處理 具有 50 nm 尺寸 圖案 材料 避免 塌陷 包含 添加劑 組合 | ||
1.一種非水性組合物,其包含:
(a)有機溶劑,
(b)至少一種式I的添加劑:
其中R1、R2、R3和R4獨立選自C1-C10烷基、C1-C11烷基羰基、C6-C12芳基、C7-C14烷芳基和C7-C14芳烷基;n為0或1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述有機溶劑為極性質(zhì)子有機溶劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述有機溶劑為直鏈或支化C1-C10烷醇。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的組合物,其中所述非水性組合物中的水含量低于0.1重量%。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的組合物,其中所述非水性組合物基本上由所述有機溶劑和所述至少一種式I的添加劑組成。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的組合物,其中R1、R2、R3和R4選自C1-C6烷基、C1-C7烷基羰基、苯基、C7-C10烷芳基和C7-C10芳烷基。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的組合物,其中n為0。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的組合物,其中所述添加劑選自三乙酸硼、三芐基硼酸酯、三甲氧基硼酸酯、三乙氧基硼酸酯和三-2-丙氧基硼酸酯。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的組合物用于處理具有圖案化材料層的襯底的用途,所述圖案化材料層具有50nm或更小的線距尺寸、大于或等于4的縱橫比,或其組合。
10.一種制造集成電路器件、光學(xué)器件、微機械和機械精密器件的方法,所述方法包括以下步驟:
(1)提供具有圖案化材料層的襯底,所述圖案化材料層具有50nm或更小的線距尺寸、大于或等于4的縱橫比,或其組合,
(2)使所述襯底與根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的組合物接觸至少一次,和
(3)從與所述襯底的接觸中移除所述非水性組合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述圖案化材料層具有32nm或更小的線距尺寸和10或更大的縱橫比。
12.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法,其中所述圖案化材料層選自圖案化顯影光致抗蝕劑層、圖案化阻擋材料層、圖案化多堆疊材料層和圖案化介電材料層。
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